Samsung ogłasza 12 nm pamięci DDR5-7200. W pracach pomagało AMD

Samsung ogłosił opracowanie nowych układów pamięci DDR5, które zapewniają większą wydajność i efektywność energetyczną, choć do produkcji wymagają kosztownego procesu opartego na EUV.

We współpracy z AMD firma Samsung zakończyła prace nad 16-gigabitowymi układami DRAM DDR5, które będą wykorzystywać „pierwszą w branży technologię procesową klasy 12 nanometrów”. Koreańska firma opisuje te nowe chipy jako „skok technologiczny” dla branży, a AMD pomogło w ocenie produktu pod kątem zgodności z procesorami opartymi na technologii Zen.

We współpracy z AMD firma Samsung zakończyła prace nad 16-gigabitowymi układami DRAM DDR5, które będą wykorzystywać litografią klasy 12 nm.

 

Jak chwali się Samsung, jego nowe pamięci, wykorzystując najnowszy standard DDR5, osiągają prędkości do 7,2 gigabitów na sekundę (Gbps). To pozwala nowym modułom RAM przetworzyć dwa 30-gigabajtowe filmy Ultra HD w ciągu zaledwie jednej sekundy.

Te 12 nm chipy są produkowane w wielowarstwowym procesie litografii z wykorzystaniem ekstremalnie dalekiego ultrafioletu (EUV), co zwiększa ich koszt produkcji w porównaniu z technologią głębokiego ultrafioletu (DUV), tradycyjnie używaną do produkcji pamięci. Samsung zastosował również nowy materiał dielektryczny o wysokim współczynniku κ, który zwiększa pojemność komórki oraz opatentowaną technologię designu, która poprawia krytyczne właściwości obwodów.

 

Te układy oferują najwyższe w branży zagęszczenie, umożliwiając 20-procentowy wzrost uzysku z wafli krzemowych. Nowe pamięci DRAM są również wyjątkowo szybkie i energooszczędne, zużywając do 23 procent mniej energii niż poprzednicy.

Samsung rozpocznie masową produkcję swoich 12-nanometrowych chipów DDR5 w 2023 roku, planując poszerzenie oferty DRAM w oparciu o tę nową technologię. Samsung zamierza koncentrować się na segmentach rynku obejmujących komputery nowej generacji, centra danych i systemy oparte na sztucznej inteligencji. 

Jooyoung Lee, wiceprezes wykonawczy ds. produktów i technologii DRAM w firmie Samsung Electronics, powiedział, że „12-nanometrowa pamięć DRAM firmy Samsung będzie kluczowym czynnikiem umożliwiającym upowszechnienie DRAM DDR5 na całym rynku”.

Z kolei Joe Macri, starszy wiceprezes AMD, podkreślił, że „innowacje często wymagają ścisłej współpracy z partnerami branżowymi, aby przesuwać granice technologii”. Nowe chipy DDR5 będą od samego początku optymalizowane i sprawdzane na platformie Zen, co oznacza, że ​​korporacja z Santa Clara chce uzyskać przewagę nad konkurencją w obsłudze najnowszych standardów i prędkości DDR5.