Chiny robią kolejny krok w stronę pamięci dla AI. CXMT uruchamia próbną produkcję HBM3E

CXMT podobno rozpoczyna pilotażową produkcję pamięci HBM3E, co stanowi przełom w chińskiej produkcji pamięci DRAM. Źródła twierdzą, że firma może rozpocząć masową produkcję w 2027 r.

ChangXin Memory Technologies (CXMT) szybko wyrósł na chińskiego lidera pamięci i coraz śmielej zaczyna rozpychać się na międzynarodowych rynkach, stawiają na nowe technologie. Według lokalnych źródełm firma rozpoczęła pilotażową produkcję pamięci HBM3E. Chociaż CXMT pozostaje o generację w tyle za trzema dużymi producentami pamięci, którzy masowo produkują pamięć HBM4, nie trzeba dodawać, że osiągnięcie kamienia milowego HBM3E świadczy o szybkim postępie technologicznym firmy, a sankcje są jedynie spowolnieniem, a nie murem nie do przebicia.

Połączenie chińśkich akrceleratorów AI z produkowanymi lokalnie pamięciami HBM3E będzie oznaczać kolejny krok ku niezależności technologicznej.

CXMT wchodzi na znacznie trudniejszy poziom

Specyfikacje produktów HBM3E firmy CXMT są nieznane, jednak biorąc pod uwagę, że mamy do czynienia z produkcją testową, specyfikacje rzeczywistych produktów HBM3E firmy CXMT mogą różnić się od próbek. Tymczasem ogólne specyfikacje JEDEC są dobrze znane: moduły HBM3E posiadają interfejs pamięci o szerokości 1024 bitów, obsługują prędkość transferu danych do 9,6 GT/s na pin i mogą łączyć w stos 8 lub 12 układów pamięci. W zależności od konkretnych wartości binarnych, HBM3E może zapewnić przepustowość pamięci do 1,228 TB/s.

Pojemność rzeczywistych stosów pamięci zależy od liczby kości DRAM użytych w danym stosie, czyli produkty HBM3E mogą oferować pojemność 24 GB przy użyciu stosu 8-mikrostrukturalnego lub 36 GB przy użyciu stosu 12-mikrostrukturalnego, jeśli są zbudowane z urządzeń DRAM 24 GB.

Chińscy producenci akceleratorów już testują HBM3E

Według raportu, kilku chińskich producentów zaawansowanych procesorów, w tym T-Head z Alibaba Group i Cambricon Technologies, testuje już układ HBM3E firmy CXMT w swoich procesorach. Jeśli testy i kwalifikacje przebiegną zgodnie z planem, firmy te mogłyby zacząć wykorzystywać układ HBM3E firmy CXMT w produktach komercyjnych już w przyszłym roku.

Ponieważ każdy pakiet HBM wymaga wielu dużych kości DRAM, rosnąca produkcja pamięci HBM może pochłonąć znaczną część mocy produkcyjnych pamięci DRAM. Właśnie w takich sytuacjach przydatna okaże się agresywna ekspansja mocy produkcyjnych firmy CXMT

Pomimo tego, że pamięć HBM3E jest o generację za HBM4, to wciąż bardzo wydajna pamięć, która może zapewnić przepustowość rzędu kilku TB/s i jest to wystarczające dla wydajnych akceleratorów AI. Wieli producentów akceleratorów AI niekoniecznie potrzebuje pamięci HBM4/HBM4E do tworzenia użytecznych systemów AI, dlatego chińskie moduły mogą być bardzo atrakcyjne dla lokalnego rynku.