Intel wyprzedził TSMC w wyścigu o chipy 1,4 nm. Czy to kluczowy moment?

Globalny lider produkcji układów scalonych na zlecenie znalazł się w nietypowej sytuacji. TSMC, kontrolujący ponad połowę rynku foundry i obsługujący takich klientów jak Apple, Nvidia, AMD czy Qualcomm, nie znalazł się w pierwszej grupie odbiorców najnowszych systemów litograficznych dla procesu 1,4 nm. Maszyny trafiły najpierw do konkurentów.

Chodzi o skanery EUV High-NA produkowane przez ASML. To jedyny dostawca na świecie zdolny do budowy tak zaawansowanego sprzętu. Nowa generacja urządzeń, Twinscan EXE:5200B, ma umożliwić masową produkcję w procesie 1,4 nm w latach 2027–2028. Według wypowiedzi prezesa ASML Christophe’a Fouqueta pierwszymi użytkownikami będą Intel, Samsung oraz SK Hynix.

Technologiczny wyścig przyspiesza

Nowe systemy litograficzne oferują aperturę numeryczną 0,55, wyższą od stosowanej obecnie wartości 0,33. High-NA pozwala na uzyskanie mniejszych elementów w jednym przejściu ekspozycji. To otwiera drogę do logiki 1,4 nm oraz zaawansowanych pamięci DRAM poniżej 10 nm.

Koszt pojedynczej maszyny sięga około 380 milionów dolarów. To najdroższe i najbardziej złożone urządzenie w historii branży półprzewodników. Decyzja o zakupie takiego systemu wiąże się z ogromnym ryzykiem finansowym i technologicznym.

Intel próbuje wrócić na szczyt

Najbardziej zaskakującym beneficjentem pierwszej fali dostaw jest Intel. Firma przez lata zmagała się z problemami przy wdrażaniu kolejnych generacji procesów, pozostając długo przy 10 nm. Teraz deklaruje prace nad technologią 14A, utożsamianą z klasą 1,4 nm.

Wdrożenie Twinscan EXE:5200B ogłoszono pod koniec 2025 roku. Sprzęt przeszedł testy akceptacyjne, a koncern rozwija równolegle maski, procesy trawienia oraz metrologię dopasowaną do High-NA EUV. To próba odrobienia strat wobec konkurencji korzystającej z usług TSMC.

Koreański front ofensywy

Samsung otrzymał pierwszy egzemplarz nowego skanera pod koniec 2025 roku i planuje kolejne dostawy w 2026. Koncern chce wykorzystać urządzenia przy produkcji węzłów 2 nm, a w dalszej perspektywie przy 1,4 nm. Wśród projektów wymienia się mobilny układ Exynos 2600 oraz nowe procesory AI dla klientów zewnętrznych, w tym Tesli.

SK Hynix, specjalizujący się w pamięciach, zintegrował Twinscan EXE:5200B ze swoją linią produkcyjną już we wrześniu 2025 roku. Firma przygotowuje się do masowej produkcji kolejnej generacji DRAM w oparciu o High-NA.

Japonia chce nadrobić dystans

Ambitne plany ma również Rapidus, wspierany przez japoński rząd. Spółka buduje zaplecze badawczo-rozwojowe w Chitose i celuje w produkcję 2 nm w drugiej połowie roku fiskalnego 2027. W dalszej kolejności zapowiada przejście na 1,4 nm do 2029 roku. Skala produkcji ma rosnąć stopniowo, zaczynając od kilku tysięcy płytek miesięcznie.

Strategia czy opóźnienie

TSMC nie przedstawił oficjalnego stanowiska w sprawie braku zamówień na Twinscan EXE:5200B. Według doniesień medialnych tajwański gigant analizuje relację kosztów do potencjalnych korzyści. Istnieją wątpliwości dotyczące przewagi wydajnościowej High-NA nad dopracowanymi systemami 0,33 NA przy uwzględnieniu całkowitych kosztów wdrożenia.

Firma niedawno rozpoczęła produkcję 2 nm niemal równolegle z Samsungiem. Możliwe, że koncern zamierza maksymalnie wykorzystać obecne generacje sprzętu przed wejściem w kolejny, kapitałochłonny etap.