512 GB w jednym module. 3D X-DRAM może zmienić rynek pamięci

Firma NEO Semiconductor ponownie wywołała spore zamieszanie, ogłaszając nowe rozwiązania, które mogą całkowicie odmienić przyszłość pamięci DRAM. 

Producent ujawnił dziś dwa nowe projekty komórek pamięci: 1T1C (jeden tranzystor, jeden kondensator) oraz 3T0C (trzy tranzystory, zero kondensatorów). Obie technologie należą do rodziny 3D X-DRAM i mają potencjał, by zaoferować nawet 10-krotnie większą pojemność niż obecnie dostępne moduły DRAM.

Producent ujawnił dziś dwa nowe projekty komórek pamięci: 1T1C (jeden tranzystor, jeden kondensator) oraz 3T0C (trzy tranzystory, zero kondensatorów).

512 GB w jednym module 

NEO deklaruje, że nowe komórki będą w stanie pomieścić aż 512 gigabitów (64 GB) danych w pojedynczym module, co stanowi ogromny postęp względem współczesnych standardów. Testy symulacyjne wykazały czas dostępu rzędu 10 nanosekund oraz czas retencji danych ponad 9 minut, czyli wyniki, które plasują się w czołówce współczesnych rozwiązań DRAM.

3D NAND jako inspiracja – konstrukcja oparta na IGZO

Nowe komórki 1T1C i 3T0C zostały zaprojektowane w oparciu o technologię IGZO (skrót od tlenku indowo-galowo-cynkowego), czyli materiał krystaliczny powszechnie stosowany w technologii wyświetlaczy. Dzięki temu możliwe jest układanie komórek w stosy, podobnie jak w 3D NAND, co znacząco zwiększa gęstość upakowania i wydajność energetyczną.

Co więcej, cały projekt oparto na zmodyfikowanym procesie produkcyjnym 3D NAND, co, według NEO, oznacza, że istniejące fabryki produkujące pamięci NAND można relatywnie łatwo przystosować do wytwarzania nowych układów DRAM.

Czy to koniec klasycznej DRAM?

„Wraz z wprowadzeniem 1T1C i 3T0C 3D X-DRAM na nowo definiujemy, co jest możliwe w technologii pamięci operacyjnej” – powiedział Andy Hsu, CEO NEO Semiconductor. Jego zdaniem nowe rozwiązania przełamują bariery skalowania tradycyjnej DRAM, pozycjonując NEO jako lidera w wyścigu po przyszłościowe technologie pamięci.

Chociaż deklaracje dyrektorów firm często bywają przesadzone, tym razem optymizm może mieć solidne podstawy. W odróżnieniu od wcześniejszych, bardziej niszowych projektów NEO, takich jak 3D X-AI, skierowanych głównie do systemów AI i HPC, projekt 1T1C ma realne szanse trafić do mainstreamu.

Walka o przyszłość DRAM trwa

NEO nie jest jedynym graczem w wyścigu po nową generację pamięci. Na horyzoncie pojawiają się również rozwiązania FeRAM (ferroelektryczna pamięć RAM), a giganci pokroju SK hynix kontynuują rozwój klasycznej DRAM, zwiększając jej pojemność i wydajność.

Jednak zapowiadana premiera pierwszych układów testowych w 2026 roku i obietnica 64 GB w jednym module sprawiają, że 3D X-DRAM z pewnością przyciągnie uwagę całego rynku.

Więcej szczegółów o nowych technologiach NEO Semiconductor zostanie ujawnionych jeszcze w tym miesiącu podczas konferencji IEEE IMW (International Memory Workshop).