Chiny budują potęgę pamięci. Samsung i Micron mają czego się bać

Chiński przemysł półprzewodników wchodzi w nową fazę, a Yangtze Memory Technologies jest jedną z głównych sił napędowych zmian. Firma przygotowuje się do budowy kolejnych fabryk w Wuhan, rozwijając produkcję pamięci NAND i DRAM w tempie, które przyciąga baczną uwagę zachodnich konkurentów, budząc uzasadniony niepokój.

Nowe inwestycje mają pozwolić na ponad dwukrotne zwiększenie mocy produkcyjnych. W planach są dwa dodatkowe zakłady, które dołączą do trzeciej fazy istniejącego kompleksu. Każdy z nich ma docelowo osiągnąć poziom 100 tysięcy wafli miesięcznie. Taka skala stawia chińskiego producenta w gronie najważniejszych graczy globalnego rynku pamięci.

Chińskie firmy próbują nadrobić dystans, korzystając z własnych zasobów i wsparcia państwa. Własne fabryki i krajowy sprzęt stają się fundamentem tej strategii.

Przełom w fabrykach: ponad połowa sprzętu z Chin

Największe znaczenie ma jednak nie sama liczba fabryk, lecz to, co znajduje się w ich wnętrzu. Faza trzecia inwestycji przekracza symboliczny próg, w którym ponad połowa wykorzystywanego sprzętu pochodzi od krajowych dostawców.

To moment, który może okazać się kluczowy dla całego ekosystemu technologicznego w Chinach. Wcześniejsze zakłady opierały się głównie na rozwiązaniach zagranicznych firm. Sytuacja zmieniła się po ograniczeniach handlowych, które odcięły dostęp do wielu zachodnich technologii, w tym sprzętu od ASML.

W odpowiedzi Pekin uruchomił szeroko zakrojony program inwestycji w krajowe technologie, a teraz efekty tych działań trafiają do realnej produkcji. Wśród dostawców pojawiają się lokalne firmy, takie jak Advanced Micro-Fabrication Equipment, rozwijające narzędzia do produkcji nowoczesnych układów 3D NAND.

Test dla chińskiej technologii

Nowa fabryka nie jest tylko kolejną inwestycją. To test zdolności chińskiego przemysłu do samodzielnego utrzymania produkcji na poziomie masowym oraz sprawdzianem wydajności i stabilność procesów przy wykorzystaniu krajowego sprzętu. Do tej pory udział takich narzędzi w chińskich fabrykach mieścił się w przedziale od kilkunastu do kilkudziesięciu procent. Przekroczenie połowy oznacza wejście na zupełnie inny poziom odpowiedzialności technologicznej.

Od wyników tej fazy zależy przyszłość kolejnych inwestycji. Jeśli test zakończy się sukcesem, tempo rozbudowy może jeszcze przyspieszyć.

Walka o rynek pamięci NAND i DRAM

Yangtze Memory Technologies już dziś posiada znaczący udział w rynku pamięci NAND, konkurując z gigantami takimi jak Samsung Electronics, SK Hynix czy Micron Technology. To jednak nie koniec akbicji, bo firma rozwija także pamięci DRAM oraz technologie związane z układami o wysokiej przepustowości, wykorzystywanymi w systemach sztucznej inteligencji. Część mocy produkcyjnych nowych zakładów ma zostać przeznaczona właśnie na ten segment. Strategia zakłada równoległy rozwój kilku kluczowych technologii.