Intel chwali się uzyskami MRAM, pamięci, która może zastąpić NAND i DRAM

Intel chwali się uzyskami MRAM, pamięci, która może zastąpić NAND i DRAM

Intel w trakcie konferencji International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) w San Francisco pochwalił się postępami prac nad innowacyjnymi pamięciami MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory, czyli po polsku magnetorezystywna pamięć o swobodnym dostępie). Niebieska ekipa poinformowała, że udało się uzyskać bardzo wysokie uzyski na poziomie 99,9% i tym samym przedsiębiorstwo jest już praktycznie gotowe na masową produkcję z użyciem 22 mm litografii FinFET. Czym tak w ogóle jest MRAM? Tak naprawdę to przełomowa technologia, która w przyszłości ma szansę zastąpić zarówno pamięci NAND, jak i DRAM, ponieważ pozwala na długie przetrzymywanie danych bez konieczności dostarczania zasilania oraz bardzo wysoką wydajność i wytrzymałość, które są praktycznie nieosiągalne dla rozwiązań stosowanych obecnie na rynku, a ma się także od nich wyraźnie lepiej skalować.

MRAM to przełomowa technologia, która w przyszłości ma szansę zastąpić zarówno pamięci NAND, jak i DRAM.

Intel chwali się uzyskamy MRAM, pamięci, która może zastąpić NAND i DRAM

W odróżnieniu od DRAM wykorzystywanego jako tradycyjna pamięć komputerowa, MRAM jest pamięcią nieulotną i może przechowywać dane nawet do 10 lat bez żadnego zasilania i to w temperaturze do 200 stopni Celsjusza (czas retencji danych można wydłużyć utrzymując chłodne środowisko pracy). Jak na razie jednak głównym zastosowaniem MRAM nie mają być tradycyjne komputery (niestety), choć oczywiście technologia ta ma wszelkie papiery, by w przyszłości zastąpić NAND flash i DRAM. Wbudowany (Embedded) MRAM ma bowiem ogromny potencjał jako następca pamięci flash i SRAM, którą znaleźć można w milionach urządzeń codziennego użytku. Mowa tu głównie o produktach typu IoT (Internet Rzeczy), które posiadają mikrokontrolery z chipami wyposażonymi w pamięć flash.

Intel chwali się uzyskamy MRAM, pamięci, która może zastąpić NAND i DRAM

Technologia ta zapewnia bardzo wysokie prędkości zapisu i odczytu, ogromną wytrzymałość wynoszącą do 1 mln cykli zapisu i kasowania, a do tego czas dostępu wynoszący tylko 4 ns przy napięciu zaledwie 0,9 V. Co więcej, Intel zapewnia, że w przyszłości parametr ten może spaść nawet do 1 ns. Obecnie producent wytwarza 7 MB pamięci MRAM w 22 nm procesie FinFET, a analitycy sugerują, że Intel już robi użytek z MRAM w produktach swoich klientów. Zapewne jednak minie jeszcze sporo czasu, zanim technologia ta będzie publicznie promowana w komercyjnych produktach, ale wygląda na to, że ma ona bardzo duży potencjał i na pewno będziemy się jej uważnie przyglądać. Na razie nie pozostaje nam nic innego, jak tylko wyczekiwać kolejnych update’ów na ten temat ze strony niebieskiej ekipy.

Pokaż / Dodaj komentarze do: Intel chwali się uzyskami MRAM, pamięci, która może zastąpić NAND i DRAM

 0