Intel i Micron rozpoczęli budowę nowych fabryk po uchwaleniu ustawy CHIPS

Amerykańskie firmy zajmujące się półprzewodnikami, takie jak Intel i Micron, zaczęły budować w USA nowe fabryki. Inwestycje w obiekty wzrosły wraz z uchwaleniem amerykańskiej „ustawy CHIPS”, która zapewnia dotacje rządowe na budowę fabryk półprzewodników.

W zeszłym tygodniu Micron Technology zorganizował uroczystość wmurowania kamienia węgielnego pod swoją fabrykę pamięci w Boise w Idaho. Budowa placówki rozpocznie się na początku przyszłego roku, a produkcja DRAM ruszy po 2025 roku. Wkład Microna w inwestycję ma wynieść 15 miliardów dolarów. Celem jest zwiększenie produkcji pamięci DRAM do 40% całkowitej produkcji w USA w ciągu najbliższych 10 lat. Micron przewiduje, że sprzedaż pamięci podwoi się do 2030 roku. Chociaż popyt na DRAM zmniejszył się w ostatnim okresie, Micron uznał, że rozszerzenie produkcji jest konieczne, aby zaspokoić długoterminowy popyt, ponieważ sztuczna inteligencja (AI) i komunikacja 5G są przyjmowane na rynkach takich jak centra danych, motoryzacja i telefonia komórkowa.

Po zatwierdzeniu ustawy CHIPS, amerykańscy giganci mogą wreszcie rozpoczynać inwestycje. Dotąd budowa fabryk była opóźniana, co było formą nacisku na rząd USA.

W zakładzie w Idaho firma wprowadzi najnowocześniejsze procesy produkcyjne, które obejmują urządzenia do przetwarzania w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV). Kiedy w zeszłym miesiącu weszła w życie amerykańska ustawa CHIPS, Micron ogłosił, że firma zainwestuje łącznie 40 mld USD do 2030 roku, co obejmuje również budowę zakładu w Idaho. "Inwestycja była możliwa dzięki dotacji zapewnionej przez ustawę CHIPS. Poprawi to dostawy Microna, oraz stworzy strategiczne możliwości dla USA" - powiedział dyrektor generalny firmy Micron, Sanjay Mehrotra.

Sytuacja pokazuje, że Micron (podobnie jak Intel i zapewne wiele innych firm) czekali na zatwierdzenie ustawy o dotacjach, zanim ogłosili nowe inwestycje. Była to pewna forma nacisku na rząd, a Intel wielokrotnie lobbował za wprowadzeniem ustawy. Ceremonia rozpoczęcia budowy fabryki Intela w Ohio była pierwotnie zaplanowana na lipiec, ale została odłożona na czas nieokreślony, ponieważ Intel nakłaniał Kongres do uchwalenia ustawy CHIPS. Prezes Intela Patrick Gelsinger zapowiedział wznowienie ceremonii wmurowania kamienia węgielnego pod fabrykę w Ohio po zatwierdzeniu dotacji. W uroczystości, która w końcu odbyła się 9 września, wziął udział prezydent USA Joe Biden. Intel inwestuje 20 mld USD w budowę zakładu w Ohio. Firma spodziewa się, że inwestycja ta zaspokoi szybko rosnący popyt na zaawansowane półprzewodniki. Intel przewiduje, że dzięki budowie zakładu w Ohio stworzy bezpośrednio i pośrednio ponad 10 tys. miejsc pracy.