Intel i SoftBank szykują zabójcę HBM. HB3DM zaoferuje znacznie wyższą przepustowość

Intel oraz SoftBank pracują nad nową technologią pamięci, która może stać się poważną alternatywą dla popularnych modułów HBM wykorzystywanych w akceleratorach sztucznej inteligencji. Projekt rozwijany jest przez spółkę zależną Saimemory, a pierwsze szczegóły rozwiązania mamy poznać podczas konferencji VLSI 2026 w czerwcu.

Nowa pamięć nosi nazwę HB3DM i bazuje na technologii Z-Angle Memory. W praktyce oznacza to trójwymiarowe układanie kości pamięci w osi pionowej, podobnie jak w klasycznych konstrukcjach HBM. Intel chce jednak wykorzystać nowoczesne procesy produkcyjne, aby znacząco zwiększyć osiągi.

Pierwsza generacja HB3DM ma składać się z dziewięciu warstw. U podstawy znajdzie się warstwa logiczna odpowiedzialna za zarządzanie transferem danych, natomiast nad nią umieszczonych zostanie osiem warstw DRAM przeznaczonych do magazynowania informacji. Połączenie elementów zapewni technika hybrid bonding, a każda warstwa otrzyma około 13,7 tys. przelotek TSV.

Intel oraz SoftBank pracują nad nową technologią pamięci, która może stać się poważną alternatywą dla popularnych modułów HBM.

Imponująca przepustowość, ale mniejsza pojemność

Według zapowiedzi pojedyncza warstwa zaoferuje około 1,125 GB pojemności, co da łącznie 10 GB na moduł. Największe wrażenie robi jednak przepustowość. Szacunki wskazują nawet 5,3 TB/s dla jednego stosu pamięci. Dla porównania nadchodzące HBM4 ma oferować około 2 TB/s na stos, a więc mniej niż połowę możliwości HB3DM. To może sprawić, że nowa technologia stanie się wyjątkowo atrakcyjna w zastosowaniach AI, gdzie liczy się szybki dostęp do danych.

Słabszym punktem pozostaje pojemność. HBM4 może osiągać nawet 48 GB na stos, podczas gdy HB3DM startuje z poziomu 10 GB. Niewykluczone jednak, że kolejne generacje otrzymają większą liczbę warstw i wyraźnie poprawią ten parametr.

Kto wyprodukuje nowe układy?

Na ten moment nie wiadomo, kiedy Saimemory wprowadzi pamięci HB3DM do produkcji ani kto zajmie się wytwarzaniem kości DRAM. Udział Intela rodzi jednak spekulacje o możliwym powrocie firmy do segmentu DRAM we własnych fabrykach. Więcej informacji powinniśmy poznać podczas VLSI 2026.