Po dekadach przerwy Intel znów chce produkować pamięci. Chcą zastąpić HBM

Ewidetnie coś ruszło się w kwestii technologii Z-Angle Memory (ZAM) od Intela. Bo w ubiegłym tygodniu pisaliśmy, że gigant z Santa Clara nawiązał współpracę z firmą SAIMEMORY, spółką zależną SoftBanku, aby wspólnie rozwijać i skomercjalizować nową generację DRAM, opartą na tym rozwiązaniu, a teraz niebieska ekipa, która od dekad nie była aktywnym graczem w tym segmencie, zaprezentowała prototyp ZAM. 

Pierwsza „oficjalna” prezentacja ZAM, czyli pamięci, która rywalizować ma HBM, odbyła się podczas Intel Connection Japan 2026. Na scenie pojawili się m.in. Joshua Fryman, CTO Intel Government Technologies, oraz Makoto Onho, CEO Intel Japan. Do tej pory projekt funkcjonował głównie w dokumentach technicznych i komunikatach prasowych.

Pierwsza „oficjalna” prezentacja ZAM, czyli pamięci, która rywalizować ma HBM, odbyła się podczas Intel Connection Japan 2026.

Nowe podejście

Kluczowym elementem ZAM jest tzw. staggered interconnect topology. Zamiast klasycznego prowadzenia połączeń pionowo przez kolejne warstwy pamięci (jak w HBM), Intel proponuje prowadzenie ich pod kątem - diagonalnie w stosie układów. Takie podejście ma poprawić zarówno wydajność, jak i charakterystykę termiczną.

Mniej watów, więcej gigabajtów?

Według materiałów zaprezentowanych na wydarzeniu, ZAM może przynieść kilka istotnych korzyści względem HBM:

• nawet 40-50% niższe zużycie energii,
• uproszczony proces produkcyjny dzięki architekturze Z-Angle,
• wyższa pojemność na układ -do 512 GB na chip.

Największy nacisk położono na kwestie cieplne. Diagonalne połączenia z wykorzystaniem miedzianych interkonektów mają ograniczać lokalne nagrzewanie się struktur, co w przypadku wielowarstwowych stosów DRAM jest jednym z głównych wyzwań.

Intel wraca do gry?

Rola Intela w projekcie nie została jeszcze precyzyjnie określona, jednak z prezentowanych informacji wynika, że firma odpowiada za początkowe finansowanie i strategiczne decyzje. Obecność wysokich rangą przedstawicieli sugeruje jednak, że ZAM nie jest jedynie eksperymentem badawczym.

Jeśli zapowiedzi się potwierdzą, Z-Angle Memory może stać się realną alternatywą dla HBM w zastosowaniach AI i HPC. W obliczu rosnącego zapotrzebowania na przepustowość i efektywność energetyczną, nowa architektura pamięci może okazać się jednym z kluczowych elementów kolejnej generacji akceleratorów. Na razie jednak mamy do czynienia tylko z prototypem, ale sam fakt jego publicznej prezentacji pokazuje, że Intel poważnie myśli o wejściu na ten rynek.