Micron z przełomem w GDDR7. Rekordy na giełdzie to potwierdzają

Micron rozpoczął prace nad własnymi modułami pamięci GDDR7 o zwiększonej pojemności, dołączając tym samym do Samsunga oraz SK Hynix. Nowe układy posiadają pojemność 3 GB na moduł, co w praktyce pozwala producentom kart graficznych budować konfiguracje o wyższej całkowitej pamięci, bez konieczności zwiększania liczby kości na płytce.

Producent przygotował dwa warianty tych pamięci - jeden pracujący z prędkością 28 GT/s, który trafił już do produkcji, oraz drugi osiągający 32 GT/s, który na razie znajduje się w fazie testów i próbek dla partnerów. Warto wspomnieć, iż dotychczas to właśnie Samsung był głównym dostawcą takich modułów dla kart graficznych, w tym konstrukcji opartych na architekturze Blackwell od NVIDII.

Nowy gracz może poprawić sytuację na rynku

Wprowadzenie konkurencyjnych rozwiązań przez SK Hynix, a teraz również Micron, może wpłynąć na większą dostępność pamięci oraz potencjalnie poprawić sytuację cenową na rynku. Warto przy tym zauważyć, że poszczególni producenci różnicują swoje rozwiązania nie tylko pojemnością, ale także osiąganymi prędkościami. Przykładowo moduły SK Hynix mają oferować jeszcze wyższe taktowania niż standardowe wersje Samsunga, co może być istotne dla najbardziej wymagających zastosowań.

Producent przygotował dwa warianty tych pamięci - jeden pracujący z prędkością 28 GT/s, który trafił już do produkcji, oraz drugi osiągający 32 GT/s, który na razie znajduje się w fazie testów i próbek dla partnerów.

 

Nowe pamięci GDDR7 znajdą zastosowanie przede wszystkim w nadchodzących kartach graficznych, zarówno dla graczy, jak i profesjonalistów. Już teraz pojawiają się informacje, że przyszłe modele z serii GeForce RTX 50 mogą wykorzystywać kości o pojemności 3 GB, co pozwoli na tworzenie konfiguracji takich jak 9 GB czy 18 GB VRAM przy zachowaniu stosunkowo prostych projektów PCB.

Chiny budują potęgę pamięci. Samsung i Micron mają czego się bać

Konkurentem dla rozwiązań gigantów technologicznych mogą być Chiny. Chiński przemysł półprzewodników wchodzi w kluczową fazę, zaś Yangtze Memory Technologies szykuje się do budowy kolejnych fabryk w Wuhan, które będą rozwijać pamięci NAND oraz DRAM. Firmy z Państwa Środka próbują nadrobić dystans, korzystając z własnych zasobów oraz wsparcia państwa.