Nie stać cię na nowe pamięci Micron. Mamy kolejne zapowiedzi

Micron przedstawił swoje plany next-genowych pamięci DRAM, HBM i NAND, które mają odpowiedzieć na rosnące potrzeby rynku sztucznej inteligencji. Firma zapowiada wyraźny wzrost gęstości zapisu, wyższą przepustowość oraz poprawę efektywności energetycznej. W planach są również pamięci 3D DRAM, kolejne generacje HBM oraz układy NAND przekraczające 400 warstw.

Według Microna kolejne etapy rozwoju sztucznej inteligencji gwałtownie zwiększają zapotrzebowanie na pamięć. Rozwiązania agentowe mają generować nawet 30-krotnie większy popyt na pamięć niż klasyczne wnioskowanie AI, a rozwijana koncepcja Physical AI może przynieść kolejny wzrost przekraczający dziesięciokrotność. Chodzi o systemy, które nie tylko przetwarzają informacje, ale również oddziałują na fizyczny świat, na przykład za pośrednictwem robotów. Producent zamierza więc rozwijać układy nie tylko przez dalszą miniaturyzację, lecz także dzięki konstrukcjom trójwymiarowym i łączeniu kolejnych warstw za pomocą zaawansowanych technik pakowania.

W planach znajduje się technologia DRAM 1δ, która ma zapewnić o około 20-25% większą gęstość bitową względem generacji 1y.

Nowe DRAM i HBM. Większa przepustowość, mniejsze zużycie energii

W planach znajduje się technologia DRAM 1δ, która ma zapewnić o około 20-25% większą gęstość bitową względem generacji 1y. Na jej bazie powstaną między innymi pamięci LPDDR6 i DDR6. Pierwsze mają zużywać do 35% mniej energii niż LPDDR5, natomiast DDR6 zaoferuje teoretycznie dwukrotnie większą przepustowość niż DDR5.

Micron rozwija także kolejne generacje HBM, w tym HBM5, HBM5E i HBM6. Równolegle pracuje nad konstrukcjami vHBM, w których pamięć zostanie umieszczona bezpośrednio na układzie obliczeniowym, skracając drogę przesyłania danych. Rozwijany format vEIM ma natomiast zaoferować w pierwszej generacji przepustowość 2 TB/s na moduł. W dalszej perspektywie firma planuje również rozwój pamięci 3D DRAM, wykorzystujących pionowe układanie struktur.

NAND G11 przekroczy 400 warstw

Równie ambitnie prezentują się plany dotyczące pamięci flash. Następca obecnej generacji G9, czyli NAND G11, ma wykorzystywać ponad 400 warstw oraz technologię łączenia wafli. Micron zapowiada około dwukrotnie większą gęstość bitową i 1,5-krotnie wyższą szybkość wejścia-wyjścia względem G9. Rozpędzenie produkcji na dużą skalę planowane jest na drugą połowę 2027 roku.

Firma współpracuje również z Metą nad wykorzystaniem LPDDR6 w przyszłych centrach danych. Wszystko wskazuje na to, że rozwój infrastruktury AI będzie coraz mocniej uzależniony nie tylko od mocy obliczeniowej procesorów i akceleratorów, lecz także od możliwości dostarczania im danych. A to oznacza, że wyścig producentów pamięci dopiero nabiera tempa.