CES Innovation Award to nagroda przyznawana rokrocznie za wybitne osiągnięcia projektowe i inżynieryjne. W tym roku otrzymał ją Samsung za moduł pamięci GDDR6.
Samsung K4ZAF325BM-HC14, bo o nim tu mowa, to pierwszy moduł GDDR6 w ofercie koreańskiego producenta. Osiąga on wydajność 16 Gbps przy domyślnym napięciu zasilającym 1,35 V. Jak podaje producent, efektywna przepustowość dla operacji wejścia i wyjścia to 64 GB/s, co teoretycznie pozwoliłoby przesłać zawartość 12 płyt DVD z filmem Full HD w ciągu jednej sekundy. Dla porównania - najszybsze obecnie kości GDDR5 mają szybkość 9 Gbps, wymagając do tego napięcia 1,5 lub 1,55 V. Jak pamiętamy z majowej prezentacji zorganizowanej przez SK Hynix, firmy również zainteresowanej wdrożeniem standardu GDDR6, nowe pamięci mogą operować w modelu QDR (Quad Data Rate), umożliwiając tym samym wykonanie aż czterech transferów w cyklu zegara, nie dwóch jak dotychczas - DDR (Dual Data Rate).
Nadchodzące moduły GDDR6 16 Gbps przy 384-bitowej magistrali mogą zaoferować przepustowość równą aż 768 GB/s.
Teoretycznie dzięki GDDR6 możemy osiągnąć sumaryczną przepustowość podsystemu pamięci równą nawet 768 GB/s (moduły 16 Gbps oraz 384-bitowa magistrala). Niestety produkt cały czas opatrzony jest statusem Under Development, co raczej wyklucza jego szybkie wprowadzenie na rynek konsumencki. Za kulisami mówi się, iż z nowego standardu skorzysta Nvidia w kartach graficznych serii GeForce 20, a więc Volta. Nie wiadomo jednak, kiedy owe akceleratory miałyby nadejść. Wiadomo natomiast, że GDDR6 są zdecydowanie tańsze w produkcji od HBM2, które do połączenia ze rdzeniem graficznym wykorzystują zawyżającą koszty krzemową przekładkę, podczas gdy opracowywana nowość zadowala się stosownym kontrolerem.
Pokaż / Dodaj komentarze do: Pamięć Samsung GDDR6 16 Gbps z nagrodą CES Innovation Award