Pamięć trwała zwiastuje rewolucję, ale na zastąpienie DRAM jeszcze trochę poczekamy

Od dawna przewidywano, że pamięć trwała (PMEM) przyniesie rewolucję informatyce, ale jest mało prawdopodobne, że stanie się to w najbliższych latach. Podczas niedawnego seminarium internetowego znawcy branży ze stowarzyszenia Storage Networking Industry Association (SNIA) stwierdzili, że nowa technologia zastąpi dotychczasowe rozwiązania w zakresie pamięci, takie jak DRAM, ale może to nastąpić dopiero w kolejnej dekadzie. 

Odpowiadając na pytania mediów, Arthur Sainio, Tom Coughlin i Jim Handy z SINA powiedzieli, że pamięć trwała osiągnęła już prędkość osiąganą przez nowoczesną technologię DRAM, czego dowodem są ferroelektryki hafnowe firm SK Hynix i Micron. Nie byli jednak w stanie udzielić bezpośredniej odpowiedzi na temat tego, która z ujawnionych technologii pamięci ostatecznie zastąpi pamięć DRAM w komputerach konsumenckich i serwerach.

Nowa technologia zastąpi dotychczasowe rozwiązania w zakresie pamięci, takie jak DRAM, ale może to nastąpić dopiero w kolejnej dekadzie. 

Chociaż pamięć ferroelektryczna znana jest z szybkich cykli zapisu, nie ma gwarancji, że ostatecznie zwycięży. Wynika to głównie z tego, że wiele nowych technologii pamięci, takich jak MRAM, FERAM i ReRAM, konkuruje o zastąpienie istniejących standardów, takich jak SRAM, NOR flash i DRAM.

Według ekspertów pamięć MRAM ma istotną przewagę nad konkurencją, ponieważ jej prędkość odczytu „prawdopodobnie w najbliższej przyszłości będzie dorównywać prędkościom pamięci DRAM”. Nowe technologie, takie jak Spin-orbit torque (SOT) i Voltage controlled magnetic anisotropy (VCMA), również zmniejszają opóźnienia zapisu w pamięci MRAM, co czyni ją jednym z głównych kandydatów do potencjalnego zastąpienia pamięci DRAM.

Jednakże główną przeszkodą w przejściu z pamięci DRAM na pamięć trwałą są koszty produkcji. Ze względu na to, że produkcja pamięci DRAM jest stosunkowo tania, mogą minąć lata, zanim pamięć trwała stanie się konkurencyjna pod względem ceny.

Innym problemem uniemożliwiającym szerokie przyjęcie pamięci trwałej jest to, że obecnie wykorzystuje ona interfejsy NOR Flash i SRAM zamiast DDR. To jednak może się zmienić w przyszłości, ponieważ, jak podkreślają specjaliści „w jakiejkolwiek technologii pamięci nie ma nic wrodzonego, co łączyłoby ją ściśle z jakimkolwiek rodzajem magistrali”.

Pamięć trwała, jak sama nazwa wskazuje, może zachować zawartość nawet bez zasilania, co czyni ją ogromnym atutem w niektórych zastosowaniach. Eksperci uważają jednak, że pomimo oczywistych korzyści, istnieje wiele przeszkód na drodze do jego powszechnego przyjęcia w najbliższej przyszłości. W obecnym stanie rzeczy przejście na nową technologię być może nie nastąpi wcześniej niż na początku lat 30. XXI wieku, „ale może to nastąpić znacznie później”.