Samsung chwali się lepszym uzyskiem w 3 nm niż TSMC

Samsung chwali się lepszym uzyskiem w 3 nm niż TSMC

Choć TSMC zyskało sporą przewagę na rynku producentów chipów, to jednak Samsung nie odpuszcza tego segmentu rynku i rywalizacja między przedsiębiorstwami w zakresie 4 nm i 3 nm litografii właśnie się zaostrza. 

TSMC wciąż górą w 4 nm

Jak podaje gazeta Kukmin Ilbo, koreański gigant chwali się, że jego uzyski w ramach tych procesorów są bardzo konkurencyjne w stosunku do TSMC. 4 nm to końcowy proces wytwarzania układów krzemowych wykorzystujący technologię FinFET, która napędza litografie w zakresie od 16 nm do 4 nm. Samsung Foundry twierdzi, że uzyski z produkcji ich 4 nm chipów wynoszą 75%, natomiast TSMC chwali się wydajnością na poziomie 80%. 4 nm układy napędzają kilka mobilnych SoC obecnej generacji, procesory do komputerów PC, a co ważniejsze, karty graficzne wykorzystywane w obecnym boomie na AI.

Rywalizacja między Samsungiem i TSMC w zakresie 4 nm i 3 nm litografii właśnie się zaostrza. 

Samsung litografia

Samsung zyskuje przewagę w 3 nm

Jeszcze ciekawiej wygląda to, kiedy przyjrzymy się 3 nm litografii, która wprowadza technologię GAA-FET (gates all around FET). Tutaj Samsung twierdzi, że oferuje wyższe uzyski niż TSMC. Jego 3 nm proces technologiczny GAA osiągać ma bowiem poziom 60%, w porównaniu z 55% w przypadku TSMC. 

Warto jednak przypomnieć, że Samsung niedawno stracił wizerunkowo przez skandal, w którym jego inżynierowie rzekomo sfałszowali dane dotyczące uzysków dla klientów, aby zdobyć zamówienia, co miało kaskadowy wpływ na wolumeny i konkurencyjność ich klientów. Zakładamy, że producent wyciągnął wnioski i jest bardziej ostrożny, jeśli chodzi o dane dotyczące produkcji publikowane w prasie. 

Tymczasem Intel Foundry Services rywalizuje z TSMC i Samsungiem za pomocą litografii Intel 3, który fizycznie jest 7 nm procesem FinFET, ale ma właściwości elektryczne porównywalne z tymi 3 nm.

Obserwuj nas w Google News

Pokaż / Dodaj komentarze do: Samsung chwali się lepszym uzyskiem w 3 nm niż TSMC

 0
Kolejny proponowany artykuł
Kolejny proponowany artykuł
Kolejny proponowany artykuł
Kolejny proponowany artykuł