Samsung Electronics prezentuje przełomową technologię 3D DRAM. Premiera w 2025 roku

Samsung Electronics planuje wejść do nowego segmentu 3D DRAM, prezentując najnowsze technologie, które pozwolą mogę zrewolucjonizować rynek. 

Przez ostatnie kilka kwartałów w branży pamięci DRAM panował pewien spokój, co wynikało choćby z faktu, że firmy były zajęte zwalczaniem trudnej sytuacji finansowej, w jakiej się znajdowały w obliczu wysokich poziomów zapasów i niskiego popytu konsumenckiego. Teraz gdy sytuacja się poprawiła, producenci pamięci skupiają się na badaniach i rozwoju nowej generacji. Jednym z nich jest Samsung, który opracował własną implementację 3D DRAM, która ma wejść w życie w przyszłym roku.

Samsung planuje zastosować koncepcję DRAM układanego w stosy, która pozwala osiągnąć wyższy stosunek pojemności pamięci do powierzchni.

Bazując na slajdach z prezentacji koreańskiego giganta, które pojawiły się w sieci, wnioskować można, że branża pamięci DRAM zmierza w kierunku litografii poniżej 10 nm. Aby przełamać impas w zakresie innowacyjnych technologii DRAM, Samsung planuje wprowadzić dwie nowe technologie, zwane Vertical Channel Transistors i Stacked DRAM, przy czym obie wiążą się z różnicami w rozmieszczeniu komponentów, co ostatecznie zmniejsza obszar urządzenia, zapewniając jednocześnie wyższą wydajność.

Podobnie, aby zwiększyć zagęszczenie obecnie stosowanych pamięci, Samsung planuje zastosować koncepcję DRAM układanego w stosy, która pozwala osiągnąć wyższy stosunek pojemności pamięci do powierzchni, zwiększając  w przyszłości w ten sposób pojemność chipów do potencjalnie nawet 100 GB. W związku z tym przewiduje się, że do 2028 r. rynki pamięci 3D DRAM mogą wzrosnąć do 100 miliardów dolarów, a wygląda na to, że Samsung zamierza zapoczątkować te zmiany, co może oznaczać, że koreański gigant będzie liderem branży DRAM, ale z racji tego, że mówimy o sytuacji za kilka dobrych lat, lepiej nie dzielić skóry na niedźwiedziu, bo konkurencja również nie śpi i zapewne szykuje swoje przełomowe rozwiązania w tym zakresie.