Samsung stworzył pamięć z 900 warstwami. To przyszłość dysków SSD

Samsung właśnie zaprezentował pierwszy na świecie prototyp pamięci V-NAND złożonej z 900 warstw. Na razie nie jest to jednak produkt, który trafi do sklepowych dysków SSD. Samsung mówi wprost: chodzi o demonstrację technologii i pokazanie kierunku rozwoju pamięci NAND na kolejne lata. 

Największą ciekawostką nowego projektu jest sposób budowy pamięci. Samsung nie zdecydował się na klasyczne dokładanie kolejnych warstw w pionie. Firma zastosowała własną technologię Cell Multi-Bonding, czyli CMB. W praktyce oznacza to połączenie dwóch osobnych struktur po 450 warstw w jeden układ. Takie podejście ma rozwiązać problemy, które od dawna zaczynają blokować rozwój pamięci NAND. Im więcej warstw trafia do jednego stosu, tym trudniej utrzymać idealne ułożenie struktur krzemowych. Pojawiają się odkształcenia wafli, rosną trudności produkcyjne i wzrasta liczba wadliwych układów.

Samsung twierdzi, że dzięki technologii CMB udało się ominąć te ograniczenia. Firma przebudowała również elementy odpowiadające za przesyłanie danych wewnątrz pamięci. Nowe struktury Bitline i Wordline mają ograniczać zużycie energii oraz zmniejszać powierzchnię samego układu.

Prototyp CMB rzeczywiście pokazuje, że Samsung ma wiarygodną ścieżkę do uzyskania ekstremalnej liczby warstw, jednak od prototypu do komercyjnej produkcji wciąż daleka droga.

AI napędza nowy wyścig pamięci masowych

Tak gigantyczne konstrukcje nie powstają przypadkiem. Dzisiejsze modele sztucznej inteligencji pochłaniają absurdalne ilości danych, a centra danych potrzebują coraz większych i szybszych pamięci masowych. Dla operatorów chmur obliczeniowych każdy dodatkowy terabajt upakowany w jednym module oznacza oszczędność miejsca, energii i kosztów infrastruktury. Dlatego producenci NAND rozpoczęli brutalny wyścig o liczbę warstw.

Samsung chce dojść do 1000 warstw jeszcze przed końcem dekady. Problem polega na tym, że konkurencja nie zamierza czekać.

SK Hynix i Chiny już ścigają Samsunga

Największym rywalem Koreańczyków pozostaje obecnie SK Hynix. Firma już produkuje komercyjnie 321-warstwowe pamięci QLC NAND i zamierza rozpocząć dostawy na dużą skalę jeszcze w 2026 roku. Producent chwali się dwukrotnie wyższą prędkością zapisu oraz wyraźnie niższym poborem energii względem poprzedniej generacji.

To właśnie tutaj pojawia się największy problem Samsunga. 900-warstwowy układ istnieje wyłącznie jako prototyp laboratoryjny, podczas gdy SK Hynix dostarcza realne produkty dla rynku enterprise.

Coraz mocniej przyspiesza też chiński YMTC. Firma rozwija pamięci NAND mimo amerykańskich ograniczeń eksportowych i już teraz sprzedaje konsumenckie układy 294-warstwowe. Według informacji z branży chiński producent szykuje ponad 300-warstwowe pamięci do masowej produkcji w 2026 roku.

Dla Pekinu rozwój własnych pamięci masowych urósł do rangi strategicznej technologii. Chińskie firmy próbują uniezależnić się od zachodnich dostawców i zdobyć własną pozycję na rynku AI.

Samsung pokazuje przyszłość, ale konsumenci jeszcze poczekają

Choć liczba 900 warstw brzmi imponująco, użytkownicy komputerów i laptopów nie zobaczą tej technologii w sklepach przez długi czas. Samsung skupia się obecnie na generacji V10, która ma przekroczyć 400 warstw i wejść do produkcji masowej w drugiej połowie 2026 roku.

Dopiero wtedy okaże się, czy koreański gigant odzyska przewagę nad konkurencją. W branży półprzewodników samo pokazanie prototypu nie gwarantuje sukcesu. Liczy się zdolność do produkowania milionów układów przy rozsądnych kosztach i odpowiedniej wydajności.