Samsung pokazał pamięci przyszłości. Nam wystarczy tanie DDR5

Dawniej zapowiedzi nowych pamięci 3D czy nośników V-NAND firmy Samsung budziły entuzjazm wśród użytkowników PC, bo wszyscy liczyliśmy na szybsze dyski do naszych komputerów. Dziś firma ogłasza rozwiązania pamięciowe nowej generacji i choć technologia ta robi wrażenie, to jednak mamy świadomość, że większość tych zasobów zostanie pochłonięta przez centra danych obsługujące sztuczną inteligencję.

Podczas targów Future of Memory and Storage (FMS) w Santa Clara koreański gigant zaprezentował nowe technologie, które mają napędzać przede wszystkim rozwój sztucznej inteligencji i centrów danych.

zHBM - pamięć układana bezpośrednio nad akceleratorem AI

Największą nowością jest koncepcja zHBM, czyli nowa generacja pamięci bazującej na HBM. W przeciwieństwie do obecnych rozwiązań, moduły pamięci mają być montowane pionowo bezpośrednio nad akceleratorem AI, co znacząco skraca drogę przesyłu danych. Samsung twierdzi, że takie rozwiązanie może zwiększyć wydajność nawet ośmiokrotnie. Zastosowanie nowoczesnej technologii łączenia wafli krzemowych pozwala również uzyskać ponad dziesięciokrotnie większą gęstość upakowania względem obecnych pamięci HBM5, przy jednoczesnym nawet trzykrotnym wzroście efektywności energetycznej.

Największą nowością jest koncepcja zHBM, czyli nowa generacja pamięci bazującej na HBM.

Ponad 400 warstw w nowym V-NAND

Firma zapowiedziała również pamięci V10 BV-NAND. Nowa architektura wykorzystuje technikę Bonding V-NAND i umożliwia budowę układów składających się z ponad 400 warstw komórek pamięci. Według producenta przekłada się to na około 58-procentowy wzrost gęstości względem poprzedniej generacji V9, a także wyraźnie wyższą wydajność odczytu, zapisu oraz operacji wejścia i wyjścia. W przyszłości technologia ta trafi do dysków SSD, kart pamięci i innych nośników danych.

Nie tylko pojemność, ale i przetwarzanie danych

Samsung pokazał również rozwiązanie zNAND-O przeznaczone dla systemów edge AI, które ma łączyć wysoką gęstość zapisu z niskimi opóźnieniami i lepszą wydajnością. Do tego producent zaprezentował LPDDR5X-PIM, czyli pamięć zdolną do wykonywania części obliczeń bezpośrednio wewnątrz modułu, ograniczając konieczność przesyłania danych do procesora.

Trzeba pamiętać, że Samsung i SK hynix odpowiadają za większość światowej produkcji pamięci DRAM i NAND, a ogromny popyt ze strony branży AI sprawia, że nowe technologie w pierwszej kolejności trafiają do centrów danych. Efektem są utrzymujące się wysokie ceny pamięci, które przekładają się na droższe laptopy, smartfony, konsole oraz dyski SSD. Wiele wskazuje na to, że trend ten szybko się nie odwróci.