Samsung prezentuje trzecią generację pamięci HBM2E - Flashbolt

Flashbolt, tak Samsung nazwał swoją trzecią generację pamięci High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), stworzoną głównie z myślą o zastosowaniach w ramach sektora HPC. Nowe pamięci o nazwie kojarzącej się raczej z komiksowym superherosem to następcy układów Aquabolt, które miały swoją premierę przed dwoma laty. Termin zapowiedzi Flashbolt raczej nie jest przypadkowy, ponieważ ta nastąpiła po tym, jak organizacja JEDEC opublikowała zaktualizowaną rewizję standardu HBM2, o nazwie JESD235C. Nowy standard pozwala na uzyskanie prędkości 3,2 Gb/s na pin, umożliwiając przepustowość na stos na poziomie 410 GB/s. Nowe HBM2E od koreańskiego giganta w pełni wykorzystują możliwości JESD235C, przez co mogą pochwalić się naprawdę imponującą specyfikacją.

Samsung zaprezentował swoją trzecią generację pamięci High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), stworzoną głównie z myślą o zastosowaniach w ramach sektora HPC.

„Wraz z wprowadzeniem najwydajniejszych pamięci DRAM dostępnych obecnie w sprzedaży, wykonujemy kluczowy krok w stronę zwiększenia naszej roli jako wiodącego innowatora na szybko rozwijającym się rynku pamięci. Samsung kontynuować będzie w związku z tym realizowanie swoich zobowiązań w zakresie dostarczania prawdziwie zróżnicowanych rozwiązań, wzmacniając tym samym swoją rolę na globalnym rynku pamięci” - stwierdził Cheol Choi, wiceprezes wykonawczy działu Memory Sales & Marketing w Samsung Electronics. Poza zwiększeniem wydajności, najważniejszą zmianą wprowadzaną przez pamięci Flashbolt w stosunku do Aquabolt jest podwojenie pojemności układów z 8 GB do 16 GB. Samsung chwali się, że udało się to osiągnąć dzięki wertykalnym stosom składającym się z ośmiu warstw 10 nm 16 Gb kości DRAM, umieszczonym na chipie buforującym.

Ponadto kości wykorzystują bardzo precyzyjną technologię mikropołączeń TSV, gdzie na każdą warstwę przypada ponad 5600 mikroskopijnych otworów. Warto też dodać, że o ile Flashbolt korzystają z odświeżonego standardu JEDEC, to Samsung twierdzi, że jego autorski projekt obwodu do transmisji sygnału może pozwolić na uzyskanie przez pamięci HBM2E prędkości transferów rzędu aż 4,2 Gb/s, co przełożyć powinno się na uzyskanie przepustowości rzędu 538 GB/s na stos „w niektórych przyszłych zastosowaniach”. Masowa produkcja trzeciej generacji HBM2E ruszyć ma jeszcze w pierwszej połowie 2020 roku. Producent nie wspomina jeszcze o kosztach, co jest o tyle istotne, że chipy HBM2 uchodzą za drogie. Koreańczycy nie mają jednak zamiaru rezygnować z drugiej generacji (Aquabolt), która wciąż będzie dostępna dla klientów, zapewne w bardziej atrakcyjnej cenie.