Twój następny telefon będzie działać dłużej dzięki odkryciu Samsunga

Samsung opracował technologię, która jest w stanie radykalnie zmniejszyć zapotrzebowanie na energię przez pamięć NAND, która jest wykorzystywana w wielu urządzeniach, od smartfonów po centra danych. Według informacji przekazanej przez Samsung Advanced Institute of Technology rozwiązanie bazujące na tranzystorach ferroelektrycznych (FeFET) pozwala na rozwiązanie długotrwałych problemów z wydajnością pamięci.

Standardowo pamięć NAND jest tworzona poprzez dodawanie kolejnych warstw na siebie, jednak pełne wykorzystanie pojemności pamięci wiąże się z koniecznością przesyłania energii poprzez każdą warstwę, co prowadzi do wzrostu napięcia i zwiększenia zużycia energii. Dotychczasowe próby ograniczenia poboru mocy prowadziły do zmniejszenia pojemności, więc nie były to dobre rozwiązania. Tym razem Samsung przygotował coś konkretnego.

Nowe rozwiązanie zmniejsza zużycie energii aż o 96%

Nowa metoda bazuje na wykorzystaniu tranzystorów ferroelektrycznych, które eliminują konieczność stosowania napięcia przejściowego. Dzięki temu zużycie energii może zostać zmniejszone aż o 96% w porównaniu do dostępnych rozwiązań. Co więcej, pamięć oparta na tej technologii utrzymuje gęstość komórek wielopoziomowych na poziomie pięciu bitów na komórkę, co jest porównywalne z najnowocześniejszymi rozwiązaniami dostępnymi na rynku.

Samsung opracował technologię, która jest w stanie radykalnie zmniejszyć zapotrzebowanie na energię przez pamięć NAND, która jest wykorzystywana w wielu urządzeniach, od smartfonów po centra danych.

Zoptymalizowana pamięć NAND z tranzystorami FeFET może przynieść korzyści nie tylko centrom danych, ale także urządzeniom mobilnym, w których zmniejszenie zużycia energii jest kluczowe dla wydajności baterii. Zwiększone zapotrzebowanie na pamięć związane z rozwojem sztucznej inteligencji i rosnącą ilością danych w centrach obliczeniowych sprawia, że innowacje w tej dziedzinie mają ogromne znaczenie.

Prognozy na przyszłość

Zgodnie z przewidywaniami, technologia oparta na FeFET może zrewolucjonizować przemysł pamięci NAND, który boryka się z niedoborami i rosnącymi kosztami produkcji. Rozwój tej technologii pozwoliłby na znaczne zmniejszenie zapotrzebowania na energię, co jest istotnym krokiem w kierunku bardziej efektywnego wykorzystania zasobów energetycznych w zaawansowanych technologiach, takich jak sztuczna inteligencja i obliczenia na dużą skalę.

Samsung nie jest jedyną firmą, która pracuje nad tą technologią

Samsung nie jest jedyną firmą pracującą nad technologią ferroelektryczną. Inne przedsiębiorstwa również eksplorują tę metodę w kontekście tworzenia pamięci trwałej, która zachowuje dane po utracie zasilania. Choć przyszłość tej technologii nie jest jeszcze przesądzona, jej potencjał może mieć ogromne znaczenie zarówno dla przemysłu komputerowego, jak i dla urządzeń konsumenckich.

Samsung i SK hynix nie zwiększą produkcji pamięci

Samsung oraz SK hynix ogłosiły, że mimo kryzysu na rynku pamięci, nie zwiększą produkcji tych modułów, co mogłoby poprawić ich dostępność w sklepach i jakoś wpłynąć na ceny. Zamiast tego obaj giganci odpowiadający za 70% rynku pamięci zamiast na wzroście produkcji w obliczu rosnącego popytu zamierzają skupić się na zagwarantowaniu sobie rentowności.