SanDisk ogłosił dysk SSD o pojemności 1 petabajta

Podczas zeszłotygodniowego dnia inwestora SanDisk ogłosił kilka przełomowych technologii w dziedzinie pamięci masowej. Wśród nich znalazły się dyski SSD UltraQLC o pojemności 1 petabajta (1 PB) oraz przyszłościowe rozważania dotyczące 3D DRAM.

UltraQLC to nowa platforma opracowana przez SanDisk, bazująca na technologii BICS 8 QLC 3D NAND. W rzeczywistości nie jest to nowy typ pamięci, lecz kompleksowe rozwiązanie składające się z zaawansowanego kontrolera, 64-kanałowej architektury NAND oraz zoptymalizowanego firmware'u. Centralnym elementem tej technologii jest specjalnie zaprojektowany kontroler, który wykorzystuje dedykowane akceleratory sprzętowe do obsługi krytycznych funkcji przechowywania danych. Takie podejście pozwala na zmniejszenie opóźnień, zwiększenie przepustowości oraz poprawę niezawodności w zastosowaniach hiperskalowych.

UltraQLC to nowa platforma opracowana przez SanDisk, bazująca na technologii BICS 8 QLC 3D NAND.

Dodatkowo, kontroler UltraQLC dynamicznie dostosowuje pobór mocy do obciążenia, co zapewnia optymalną efektywność energetyczną. Kolejną innowacją jest zaawansowany multiplekser magistrali, który pozwala na zarządzanie dużymi obciążeniami danymi przy zachowaniu pełnego wykorzystania kanałów pamięci.

Jak podkreślił Khurram Ismail, nowy szef inżynierii i zarządzania produktami w SanDisk: „UltraQLC zostało opracowane w oparciu o naszą wieloletnią wiedzę i aktualne doświadczenia, aby mogło być wdrażane w nowoczesnej infrastrukturze danych bez kompromisów dotyczących gęstości, wydajności i efektywności energetycznej”. 

Początkowo UltraQLC SSD będą wykorzystywać układy pamięci NAND o pojemności 2Tb, co pozwoli na stworzenie dysków o pojemności do 128 TB. Teoretycznie możliwe byłoby osiągnięcie wyższych pojemności dzięki 64-kanałowemu kontrolerowi, jednak wiązałoby się to z ograniczeniem wydajności. SanDisk zapowiada jednak rozwój bardziej pojemnych układów NAND, co umożliwi stworzenie nośników o pojemności 256TB, 512TB, a docelowo nawet 1PB.

3D DRAM to śpiew przyszłości

W kontekście sztucznej inteligencji i wysokowydajnych obliczeń, SanDisk zwrócił uwagę na problem tzw. „ściany pamięci” (“memory wall”), który polega na tym, że tradycyjna technologia DRAM może nie sprostać rosnącym wymaganiom modeli AI. Skalowanie DRAM staje się coraz trudniejsze, a gwałtowny wzrost pojemności i wydajności pamięci staje się kluczowy dla trenowania dużych modeli AI.

SanDisk podkreśla, że rozwiązanie tego problemu wymaga inwestycji w nowe technologie. Trzy potencjalne ścieżki obejmują:

• Inwestycje w tradycyjne DRAM – choć możliwe, przynoszą coraz mniejsze korzyści w stosunku do poniesionych kosztów.
• 3D DRAM – podejście analogiczne do 3D NAND, czyli pionowe skalowanie pamięci. Jednak obecnie istnieje wiele wyzwań technologicznych, które sprawiają, że nie ma jeszcze jasnej ścieżki do realizacji tej technologii.
• Nowe technologie pamięci – SanDisk bada alternatywne podejścia, takie jak HBF, które mogą stanowić przyszłościową alternatywę dla DRAM.

Jak zaznaczył Alper Ilkbahar, szef technologii pamięci w SanDisk: „Nad tą technologią pracuje się już od dłuższego czasu, ale wyzwania techniczne są ogromne i na razie nie widać jednoznacznej ścieżki do wdrożenia 3D DRAM w przemyśle”.