SK hynix wypuści DDR5 w przyszłym roku i aktywnie pracuje nad DDR6

Wciąż ciekamy na debiut piątej generacji pamięci DRAM (DDR5), który nastąpić ma już w przyszłym roku, ale SK hynix pracuje już na następcą tego standardu, czyli szóstą generacją DDR (DDR6). Ich celem w tym przypadku jest zwiększenie prędkości transmisji danych do aż 12 gigabitów na sekundę. Na kolejny przeskok generacyjny przyjdzie nam jednak jeszcze trochę poczekać, ponieważ w rozmowie z gazetą The Korea Herald, Kim Dong-kyun, pracownik naukowy SK hynix zajmujący się projektowaniem DRAM, prognozuje, że prace nad DDR6 potrwać mogą pięć lub sześć lat. „Rozważamy kilka pomysłów związanych z następcą DDR5” - stwierdził Dong-kyun, który ujawnił, że jeden z nich zakłada utrzymanie obecnego trendu przyspieszania transmisji danych, a drugi „połączenie technologii DRAM z procesem technologicznym system-on-chip (SoC), takim jak CPU”. Szczególnie ciekawie brzmi ta druga koncepcja, ale nie ujawniono żadnych szczegółów, w jaki sposób miałaby zostać zrealizowana.

Pracownik naukowy SK hynix zajmujący się projektowaniem DRAM, prognozuje, że prace nad DDR6 potrwać mogą pięć lub sześć lat.

Pod koniec ubiegłego roku SK Hynix ogłosiło ukończenie prac nad pierwszymi układami pamięci RAM typu DDR5. Te umożliwiają transfer danych na poziomie 5200 MT/s przy napięciu wynoszącym 1,1 V. 16 Gb moduł DDR5 pozwala więc na uzyskanie prędkości 5200 Mb/s, czyli około 60 procent więcej w porównaniu do 3200 Mb/s poprzedniej generacji i przekłada się na przepustowość rzędu 41,6 GB/s. Co więcej, SK Hynix zamierza zwiększyć tę prędkość do 6400 Mb/s do 2020 roku. Firma planuje rozpocząć masową produkcję pamięci DDR5 w 2020 roku. Analitycy przewidują, że do 2021 roku pamięci DDR5 będą już stanowić 25 procent całego rynku DRAM, a udział ten wzrośnie do 44 procent w roku kolejnym. Co ciekawe, przedsiębiorstwo tworzy także własne innowacje dedykowane DDR5, które pozwolą im uzyskać przewagę nad konkurencją, ale będą w pełni zgodne z tym standardem.  

W pracach nad DDR5 drugi największy producent na świecie koncentruje się na opracowaniu technologii, które pozwolą na zwiększenie prędkości, przy jednoczesnym zachowaniu napięcia operacyjnego na obecnym poziomie oraz wyeliminowaniu wszelkich szumów w trakcie transmisji danych z dużymi prędkościami. „Opracowaliśmy technologię wielofazowej synchronizacji, która umożliwia utrzymanie napięcia na niskim poziomie w trakcie operacji dużych prędkości, poprzez umieszczenie wielu faz wewnątrz obwodu IP, więc po połączeniu moc wykorzystywana w każdej fazie jest niska, ale prędkość wysoka” - tłumaczy Dong-kyun. Układy DDR5 SDRAM mają świetnie sprawdzać się w branży motoryzacyjnej, nie tylko ze względu na szybkość działania, ale właśnie także ze względu na zdolność korekcji błędów. ECC (kod korekcji błędów) samodzielnie wykrywa i odzyskuje wszelkie nieprawidłowości, co ma mieć bardzo istotne znaczenie w przypadku samojeżdzących aut. Nas ciekawi jednak przede wszystkim, jak w pierwszej kolejności DDR5, a potem DDR6, zmienią oblicze branży PC.