SMIC prezentuje proces technologiczny N+1, który zbliża Chińczyków do 7 nm

SMIC po raz pierwszy rozpoczął masową produkcję układów scalonych przy użyciu procesu technologicznego FinFET 14 nm w czwartym kwartale 2019 roku. Od tego czasu firma ciężko pracowała nad rozwojem swojej głównej technologii nowej generacji, którą nazywa N+1. Technologia ta ma pewne cechy, które są porównywalne do konkurencyjnych technologii 7 nm, ale SMIC zaznacza, że mimo zbliżonych cech N+1 nie jest technologią 7 nm. W porównaniu z procesem technologicznym SMIC 14 nm, N+1 obniża zużycie energii o 57%, zwiększa wydajność o 20% i zmniejsza rozmiar układu nawet o 63%.

N+1 obniża zużycie energii o 57%, zwiększa wydajność o 20% i zmniejsza rozmiar układu nawet o 63% w porównaniu do FinFET 14 nm.

Chociaż proces ten pozwala projektantom układów na zmniejszenie wielkości SoC i zwiększenie ich wydajności energetycznej, stosunkowo niewielki wzrost wydajności nie pozwala N+1 bezpośrednio konkurować z technologią 7 nm konkurencji. W związku z tym SMIC pozycjonuje swój N+1 jako technologię dla niedrogich układów. Rzecznik SMIC powiedział: "Naszym celem dla N+1 są budżetowe zastosowania, które mogą obniżyć koszty o około 10 procent w stosunku do 7 nm. Jest to więc bardzo specjalne zastosowanie". 

Warto zauważyć, że N+1 SMIC nie wykorzystuje ekstremalnej litografii ultrafioletowej (EUVL), więc firma nie musi kupować drogiego sprzętu od ASML w celu dalszego rozwoju. Nie znaczy to, że firma nie wzięła pod uwagę EUV. SMIC nabyło systemy EUV - ale nie zostały wykorzystane, podobno z powodu ograniczeń nałożonych przez USA. W rezultacie to dopiero N+2 SMIC będzie wykorzystywać EUV. Producent z Chin planuje rozpocząć próbną produkcję przy użyciu technologii N+1 w czwartym kwartale 2020 roku, więc można się spodziewać, że proces wejdzie do produkcji na dużą skalę w 2021 roku.