Choć wcześniejsze przecieki sugerowały, że Snapdragon 8 Elite Gen 2 nie przyniesie większych zmian w porównaniu do swojego poprzednika, rzeczywistość może okazać się znacznie ciekawsza. Nowe informacje wskazują na szereg usprawnień, które mogą wyraźnie podnieść poprzeczkę w świecie mobilnych procesorów.
Najważniejszą nowością ma być zastosowanie przez Qualcomm trzeciej generacji procesu technologicznego 3 nm od TSMC. To właśnie dzięki temu SoC może zyskać większą wydajność i energooszczędność. Wśród innych usprawnień mówi się o powiększonej pamięci podręcznej – według doniesień, każdy klaster w nowym układzie ma mieć 16 MB cache, co w sumie może dawać aż 32 MB pamięci L2. Nie wiadomo jeszcze, jak wygląda sytuacja z pamięcią L3.
Większa wydajność i wsparcie dla LPDDR6
Wstępne testy pokazują, iż Snapdragon 8 Elite Gen 2 może zapewnić nawet 30-procentowy wzrost wydajności. Co więcej, pojawił się też wynik w benchmarku AnTuTu – według przecieków nowy chip osiągnął wynik o 40,7% wyższy niż najszybszy dotąd Snapdragon 8 Elite. To może być zasługa m.in. nowych rdzeni o nazwie „Pegasus”, które miały być testowane z taktowaniem sięgającym 5,00 GHz.
Wstępne testy pokazują, iż Snapdragon 8 Elite Gen 2 może zapewnić nawet 30-procentowy wzrost wydajności.

Nie bez znaczenia jest poza tym wsparcie dla pamięci LPDDR6, przy zachowaniu kompatybilności wstecznej z LPDDR5X. Oznacza to, że producenci smartfonów będą mogli sami zdecydować, czy postawić na większą wydajność, czy niższe koszty.
Snapdragon 8 Elite Gen 2 ma również wspierać technologię ARM SME (Scalable Matrix Extension), która według doniesień może poprawić wydajność w zadaniach wielowątkowych nawet o 20%. Niektórzy spekulują, że nowy układ może dzięki temu rzucić wyzwanie nawet Apple M4.
Na ten moment Qualcomm nie potwierdził żadnej z tych informacji, więc do wszystkiego warto podchodzić z dużą dozą ostrożności. Ale jeśli przecieki się potwierdzą, szykuje się naprawdę mocny zawodnik na rynku mobilnych procesorów.

Pokaż / Dodaj komentarze do: Snapdragon 8 Elite Gen 2 może zaskoczyć – 3 nm, nowe rdzenie i zauważalnie więcej mocy