Szykujcie się na większe pojemności dyskó SSD. Samsung szykuje 290-warstwowe pamięci

Według doniesień medialnych Hankyung firma Samsung Electronics ma rozpocząć masową produkcję dziewiątej generacji V-NAND jeszcze w tym miesiącu. Nowa generacja 3D NAND od Samsunga będzie zawierać 290 aktywnych warstw, co nie stanowi znaczącego wzrostu w porównaniu z 236 warstwami, ale wiąże się z istotną zmianą w sposobie produkcji tych pamięci flash.

Doniesienia o 290-warstwowym V-NAND 9. generacji kłócą się z oficjalnymi planami Samsunga dotyczącymi wprowadzenia w 2024 roku pamięci 3D NAND z ponad 300 warstwami, więc nowe informacje należy traktować z przymrużeniem oka. Tymczasem możliwe, że Samsung zdecydował się zmniejszyć liczbę aktywnych warstw w swojej pamięci V-NAND, aby zwiększyć uzysk z produkcji. Zwiększenie uzysku kosztem gęstości powierzchni może być dla firmy dobrym sposobem na obniżenie kosztów popularnych dysków SSD tego producenta, zwłaszcza do mainstreamowych i tanich systemów.

Nowa generacja 3D NAND od Samsunga będzie zawierać 290 aktywnych warstw.

Z raportu wynika, że ​​kluczową cechą pamięci V-NAND z 290 aktywnymi warstwami koreańskiego giganta jest technika produkcji polegająca na układaniu warstwowo ciągów. Procesy produkcyjne wykorzystujące układanie ciągów obejmują zbudowanie warstwy CMOS z logiką, następnie 145-warstwowej macierzy pamięci 3D NAND na górze, a następnie kolejnej 145-warstwowej pamięci flash 3D NAND powyżej. Chociaż ta technika produkcji jest złożona, może zwiększyć uzysk z produkcji pamięci 3D NAND składających się z setek warstw, ponieważ łatwiej jest zbudować dwie 145-warstwowe macierze 3D NAND niż jedną 290-warstwową.

Docelowo zwiększona liczba warstw powinna umożliwić Samsungowi zwiększenie gęstości zapisu powierzchniowego w urządzeniach 3D NAND. Zwiększanie gęstości 3D-NAND jest głównym celem wszystkich producentów pamięci NAND, ponieważ zapotrzebowanie na pamięć flash w branży rośnie. Zwiększanie liczby warstw w urządzeniach 3D NAND zwiększa również efektywność produkcji. Zwykle twórcy pamięci 3D NAND mają tendencję do znacznego zwiększania liczby warstw z każdym nowym procesem produkcyjnym. Może tak nie być w przypadku pamięci V-NAND dziewiątej generacji od Samsunga z 290 warstwami, ponieważ wygląda na to, że ta technologia będzie używana przede wszystkim do nauki korzystania z układania ciągów w masowej produkcji. Możliwe jest również, że wprowadzając dziewiątą generację V-NAND, Samsung położy większy nacisk na pamięci 3D NAND typu QLC.

Z przecieków wynika, że ​​Samsung ma ambitne plany utrzymania swojej pozycji na rynku pamięci flash 3D NAND poprzez wprowadzenie na rynek pamięci 3D NAND z jeszcze większą liczbą warstw i ​​po wprowadzeniu na rynek 290-warstwowej pamięci V9 firma zamierza wypuścić w drugiej połowie 2025 r. 430-warstwową pamięć V-NAND 10. generacji. Informację tę potwierdza ubiegłoroczny artykuł Blocks and Files.

Tymczasem inni gracze z branży pamięci nie próżnują. ​​SK hynix podobno przygotowuje się do wyprodukowania 321-warstwowej pamięci NAND na początku przyszłego roku, natomiast chińskie YMTC zamierza dostarczyć produkty 300-warstwowe do drugiej połowy 2024 roku.