Technologia 2 nm nie pomogła Samsungowi. Testy sprowadzają Exynosa 2600 na ziemię

Zapowiedzi były odważne, a oczekiwania ogromne. Samsung obiecywał nową erę mobilnej wydajności dzięki litografii 2 nm GAA. Tymczasem pierwsze niezależne testy pokazują obraz znacznie mniej spektakularny. Nowy układ Exynos 2600 nie tylko nie wyprzedza konkurencji, ale w kluczowym obszarze przegrywa z kretesem.

Wyniki benchmarków opublikowane przez TechStation365 wywołały konsternację. W testach syntetycznych układ Exynos 2600 osiągnął chwilowy pobór mocy sięgający aż 30 W. To poziom znany raczej z laptopów niż smartfonów.

Dla porównania konkurencyjny Snapdragon 8 Elite Gen 5 zatrzymał się w okolicach 21 W. Różnica jest wyraźna i trudna do zignorowania. Nawet jeśli maksymalne wartości pojawiają się na krótko, sam fakt ich osiągania rodzi pytania o stabilność i temperatury pracy przyszłych urządzeń.

Wydajność? Blisko, ale jednak za Qualcommem

Na papierze wygląda to jeszcze względnie dobrze. W Geekbench 6 Exynos 2600 zbliża się do Snapdragona w testach wielordzeniowych. Różnice są minimalne, a momentami wręcz symboliczne.

Problem pojawia się w szczegółach. Wydajność jednego rdzenia pozostaje zauważalnie niższa, a przy tym cały układ potrzebuje znacznie więcej energii, aby utrzymać tempo konkurenta. 

Za układem Qualcomma stoi produkcja w fabrykach TSMC, która od lat wyznacza tempo w branży półprzewodników. Testy tylko wzmacniają przekonanie, że przewaga technologiczna Tajwańczyków nadal jest trudna do nadrobienia.

Testy w praktyce obnażają problem

Jeszcze ciekawiej robi się poza syntetycznymi benchmarkami. W teście dekompresji dużego archiwum Exynos 2600 potrzebował więcej czasu niż konkurent, a przy tym zużywał wyraźnie więcej energii.

Snapdragon wykonał zadanie szybciej i przy znacznie niższym poborze mocy. Różnica w efektywności sięgała kilkudziesięciu procent. To właśnie takie scenariusze najlepiej pokazują realne zachowanie układu w codziennym użytkowaniu.

2 nm GAA na razie bez efektu „wow”

Technologia GAA miała być odpowiedzią na ograniczenia klasycznych tranzystorów FinFET. Samsung jako pierwszy wprowadził ją do masowej produkcji na tym poziomie, budując narrację o przełomie.

Testy sugerują jednak, że sama zmiana procesu technologicznego nie wystarczy. Optymalizacja architektury, zarządzanie energią i kontrola temperatur pozostają kluczowe. Bez nich nawet najbardziej zaawansowana litografia nie gwarantuje sukcesu.

Jeśli wyniki przełożą się na finalne urządzenia, przyszłe smartfony z tym układem mogą zmagać się z wysokimi temperaturami i szybszym zużyciem baterii. Szczególnie w wymagających scenariuszach, takich jak gry czy renderowanie. To z kolei stawia pod znakiem zapytania strategię stosowania własnych układów w topowych modelach. Rynek już wielokrotnie pokazał, że użytkownicy szybko wychwytują takie różnice.