TSMC rozpoczęło prace nad procesem 3 nm. Pierwsze 5 nm najwcześniej za rok

Najnowocześniejsze chipsety dla smartfonów są obecnie produkowane w procesie 7 nm. Im mniejsza liczba określająca proces, tym większa liczba tranzystorów, które mieszczą się w chipsecie. Dla porównania, 7 nm Snapdragon 855 SoC jest bardziej wydajny i energooszczędny niż 10 nm Snapdragon 835. A kiedy zaczną powstawać telefony zasilane chipami 5 nm (może już nawet w połowie przyszłego roku), będą zapewne bardziej wydajne i energooszczędne niż obecne SoC 7 nm. Czy za chwilę dojdziemy jednak do miejsca, w którym prawo Moor'a przestaje się sprawdzać?

Czy prawo Moor'a będzie dalej aktualne po procesie 3 nm? Niedługo się przekonamy.

Gordona Moore, były dyrektor generalny Intela zauważył, że liczba tranzystorów w układzie scalonym podwaja się co dwa lata. W 1965 roku Moore pierwotnie powiedział, że liczba tranzystorów w układzie scalonym będzie co roku podwajana. Po dziesięciu latach zaktualizował swoją wypowiedź do obecnej definicji. Wystarczy wyobrazić sobie, że chipy wyprodukowane w procesie 5 nm, będą posiadać ponad 171 milionów tranzystorów na milimetr kwadratowy, a według AnandTech, firma Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), która produkuje chipy zaprojektowane przez Apple, Qualcomm, Huawei i innych, rozpoczęła już rozwój procesu 3 nm.

Ponieważ do premiery chipów 5 nm jeszcze co najmniej 12 miesięcy, TSMC nie chce dyskutować nad przewagą 3 nm względem 5 nm. Firma mówi jednak, że ​​przyjrzała się wszystkim możliwym opcjom struktury tranzystora i uważa, że ​​jej rozwiązanie spełni wymagania klientów TSMC. Producent chipów zauważa, że ​​3 nm to całkowicie nowa technologia, a nie tylko ulepszona wersja procesu 5 nm. W maju 2018 roku Samsung ujawnił, że ich produkcja w 3 nm rozpocznie się w 2022 roku. Samsung zakończy korzystanie z technologii FinFET właśnie na 3 nm i przejdzie na  Gate-All-Around (GAA), gdzie tranzystory mogą być układane również pionowo.