W 2021 roku spodziewać mamy się 140-warstwowych pamięci NAND

W 2021 roku spodziewać mamy się 140-warstwowych pamięci NAND

Obecna technologia pozwala na stosowanie 72-wartstowoych pamięci NAND flash (takowe w swojej ofercie posiada SK Hynix), ale jeszcze w tym roku powinniśmy otrzymać 96-warstwowe układy od Toshiby i Western Digital, które wykorzystają technologię BiCS flash. Zdaniem specjalistów liczba ta jeszcze znacząco wzrośnie w kolejnych latach.

Z harmonogramu opublikowanego przez Applied Materials, który prezentowany był w czasie International Memory Workshop w japońskim Kioto, wynika, że do końca 2021 roku spodziewać możemy się aż 140-warstowowych pamięci 3D NAND. Co więcej, rozwój tej technologii przełoży się nie tylko na zwiększenie liczby warstw, ale te staną się także wyraźnie cieńsze. Celem jest oczywiście stworzenie pojemniejszych układów w jak najmniejszym rozmiarze, co jest trendem od wielu lat. Obecnie stosowane 64/72-warstwowe pamięci NAND mierzą ok. 60 mm wysokości, natomiast już w 96-wartowowych 3D NAND  wartość ta ma być zredukowana do 55 mm, a w 140-wartwowych układach w 2021 roku wynosić ma tylko 45 mm. Nowe rozwiązania umożliwią zaś zwiększenie wysokości stosów z 4,5-5,5 μm do około 8 μm.

Rozwój tej technologii przełoży się nie tylko na zwiększenie liczby warstw, ale te staną się także wyraźnie cieńsze

Toshiba i Western Digital pracują już nad 96-wartwowymi pamięciami BiCS 3D NAND, które powinny być dostępne w ciągu najbliższych 12 miesięcy. Piąta generacja 3D NAND od Samsunga także powinna osiągnąć 96 warstw jeszcze w tym roku. Przy zachowaniu tego tempa rozwoju, Applied Materials uważa, że w 2020 roku pojawią się 120-wartswowe układy, a w kolejnym stosy złożone z aż 140 warstw. Jako że mamy tu do czynienia z bitami i bajtami, matematyka wskazuje, że ich dokładna liczba wynosić będzie zapewne odpowiednio 128 i 144. Harmonogram nie ujawnia jednak, jak przełoży się to na samą pojemność kości pamięci, ale obecne 64-wartowowe pamięci oferują do 512 Gb pojemności, więc podwojenie liczby warstw powinno zapewnić 1024 Gb. Samsung natomiast niedawno zapowiedział, że celuje właśnie w 1 terabitowe układy.

Komentarze do: W 2021 roku spodziewać mamy się 140-warstwowych pamięci NAND