Naukowcy z Uniwersytetu Fudan w Szanghaju opracowali nowy typ nieulotnej pamięci Flash, osiągający rekordową prędkość zapisu - zaledwie 400 pikosekund. To oznacza operacje na poziomie jednej tysięcznej nanosekundy, czyli jednej bilionowej sekundy.
Nowo opracowany układ, nazwany PoX (Phase-change Oxide), wyraźnie wyprzedza dotychczasowy rekord wynoszący 2 miliony operacji na sekundę. Dla porównania, tradycyjne pamięci SRAM i DRAM zapisują dane w czasie od 1 do 10 nanosekund, ale tracą je po odcięciu zasilania. Flash używany w dyskach SSD czy pendrive'ach zachowuje dane bez prądu, jednak działa znacznie wolniej – operacje trwają tam od mikrosekund do milisekund.
Badacze poinformowali, że zakończono już pierwsze testy układów prototypowych.
Technologia PoX łączy więc dwa kluczowe atuty: ekstremalnie szybki zapis oraz trwałość danych bez potrzeby stałego zasilania. Może to przełamać dotychczasową barierę w wydajności sprzętu AI, w którym ogromne ilości energii marnuje się na przenoszenie danych między pamięcią a procesorem.
Kolejna rewolucja nadchodzi z Chin
Zespół prof. Zhou Penga z Uniwersytetu Fudan zmodyfikował klasyczną strukturę pamięci Flash, zastępując tradycyjny krzem dwuwymiarowym grafenem Diraca, znanym ze znakomitego przewodnictwa. Dodatkowo udoskonalono kanał pamięci poprzez tzw. zjawisko "2D super-injection", umożliwiające niemal nieograniczone przesyłanie ładunków do warstwy pamięci.
Nowo opracowany układ, nazwany PoX, wyraźnie wyprzedza dotychczasowy rekord wynoszący 2 miliony operacji na sekundę.
Badacze poinformowali, że zakończono już pierwsze testy układów prototypowych (tape-out), które przyniosły bardzo obiecujące wyniki. W kolejnym etapie planują integrację nowej pamięci z istniejącymi urządzeniami, takimi jak smartfony i komputery. Według badaczy nowe rozwiązanie może w przyszłości wyeliminować problemy z opóźnieniami i przegrzewaniem podczas korzystania z lokalnych modeli AI. Finalnie na pewno wpłynie też na sposób, w jaki korzystamy z naszych ulubionych urządzeń.

Pokaż / Dodaj komentarze do: Zapis danych w 400 pikosekund, oto pamięć Flash przyszłości. PoX to przełom