Z dzisiejszego testu dowiecie się, jak kości DDR5 firm Hynix, Micron i Samsung radzą sobie na platformie AM5, w zakresie możliwych do uzyskania timingów oraz maksymalnego stabilnego taktowania. Niniejszy materiał powstał dzięki temu, że w ostatnim czasie w moje ręce wpadły zestawy G.SKILL Trident Z5 NeoX RGB i Patriot Viper Steel 5 Infinite, na chipach odpowiednio Samsung B-die oraz Micron Rev. K, które na potrzeby tego tekstu zestawiłem z Viper Xtreme 5 na bazie Hynix A-die. Co do tego, że te ostatnie to najlepsze kości 16 Gb na rynku, nie ma żadnych wątpliwości, ale w obecnej sytuacji rynkowej to, o ile gorsze w rzeczywistych zastosowaniach są alternatywy, jest rzeczą ważną. Czasy, kiedy ceny DDR5 były tak niskie, iż można było do woli wybierać w portfolio producentów w poszukiwaniu zestawu na odpowiednich chipach, minęły bowiem może już bezpowrotnie. Teraz koszt pamięci jest tak wysoki, że zwyczajnie bierze się to, co można dostać za "względnie" sensowne pieniądze, w związku z czym warto wiedzieć, czy pewnych rodzajów układów należy unikać.
Obecny koszt pamięci jest tak wysoki, iż zwyczajnie bierze się to, co można dostać za "względnie" sensowne pieniądze i w związku z tym warto wiedzieć, czy pewnych rodzajów układów należy unikać.
G.SKILL Trident Z5 NeoX RGB 6000 MT/s CL 36 - test modułów DDR5 z EXPO ULL
Wyniki uzyskane podczas sprawdzania potencjału podkręcania
Testowanie potencjału układów przebiegło w dwóch etapach. Pierwszy to weryfikacja, jakie timingi da się uzyskać przy najpopularniejszym taktowaniu DDR5 na platformie AM5, tj. 6000 MT/s, określanym często jako złoty środek w przypadku serii Ryzen 7000 oraz 9000. W tej części testów kości Hynix A-die uzyskały wynik CL 28-36-36-64, Samsung B-die osiągnęły CL 32-34-34-66, a Micron Rev. K musiały zadowolić się parametrami CL 36-38-38-74. Mocno rozbieżne były również opóźnienia dalszych rzędów, bardzo ważne z punktu widzenia osiągów - wszystko znajdziecie na załączonych poniżej zrzutach ekranu. Drugim etapem było sprawdzenie maksymalnego stabilnego zegara pamięci, po przestawieniu kontrolera RAM w tryb asynchroniczny, gdzie po raz drugi pojawiły się znaczne różnice, jak możecie zobaczyć na poniższym wykresie.
Podkręcanie - timingi przy 6000 MT/s
Podkręcanie - maksymalne taktowanie
Test kości DDR5 Hynix, Micron i Samsung: metodyka
Wszystkie testy zostały wykonane pod kontrolą systemu operacyjnego Windows 11 64-bit 23H2 oraz sterowników GeForce Game Ready 617.14, podczas rzeczywistej rozgrywki. Do pomiaru liczby klatek użyto programu Fraps w wersji 3.5.99. Wyniki widoczne na wykresach są średnią arytmetyczną rezultatów z trzech odrębnych przebiegów, z kolei rozdzielczość zegara czasu rzeczywistego była ustawiona na sztywną wartość 0,5 ms.
Ustawienia platformy były następujące:
- limit mocy: PPT = 162 W,
- napięcie SOC (do testów OC): 1,2-1,3 V,
- napięcie VDDIO (do testów OC): 1,35 V,
- napięcie VDDP (do testów OC): 0,95-1,1 V.
W trakcie podkręcania kości zasilano napięciem 1,35-1,45 V, działały bez dodatkowego nawiewu, zaś do badania stabilności posłużył program TestMem5. Na potrzeby testów wydajności po podkręceniu zoptymalizowane zostały także opóźnienia dalszych rzędów, zgodnie z załączonym wcześniej zrzutem ekranu.
Platforma testowa
 |
AMD Ryzen 9 9900X |
 |
ASRock X870E Taichi |
 |
ASUS ROG STRIX GeForce RTX 4080 OC |
 |
Patriot Viper VP4100 1 TB |
 |
SilentiumPC Supremo M1 Platinum 700 W |
 |
Antec Twelve Hundred V3 |
 |
MSI MEG CORELIQUID S360 |
Test kości DDR5 Hynix, Micron i Samsung: wydajność
Pomiary wydajności wykonano w AIDA64 i wybranych grach z procedury testowej CPU, a dokładnie tych tytułach, które cechują się największą wrażliwością na podsystem RAM. W tym miejscu należy dodatkowo przypomnieć, że szybka pamięć bynajmniej nie przyspiesza karty graficznej, tylko właśnie CPU, stąd takie a nie inne podejście do testów, jako że weryfikacja osiągów w miejscach obciążających GPU nie wykazałaby praktycznie żadnych różnic. Poza samymi wynikami zamieszczony jest również wykres prezentujący średnią wydajność.
AIDA64 Engineer
Call of Duty: Modern Warfare 3
Dead Island 2
Dragon's Dogma 2
Dziedzictwo Hogwartu
Far Cry 6
Spider-Man: Miles Morales
Starfield
Wiedźmin 3: Dziki Gon NG
Średnia wydajność
Test kości DDR5 Hynix, Micron i Samsung: konkluzje
Wykonane testy pokazały, że choć kości Hynix A-die oraz Samsung B-die mają różne mocne oraz słabsze strony w zakresie timingów podstawowych i opóźnień dalszych rzędów, ich wydajność w rzeczywistych zastosowaniach jest de facto identyczna, gdyż po uśrednieniu wyników mamy symboliczne ~0,2% przewagi chipów Hynix. Z kolei układy firmy Micron minimalnie odstają od liderów, ze średnią stratą ok. 3%. Przy czym mam wrażenie, że kości te mogłyby być jeszcze bliżej rywali, gdyby BIOS płyty głównej był lepiej pod nie lepiej zoptymalizowany, gdyż zdaje się, że jakaś niewidzialna ściana lekko ogranicza ich rezultaty po optymalizacji timingów. Początkowo myślałem, iż przedobrzyłem z jakimiś opóźnieniami, ale nawet po ustawieniu na nich parametrów z profilu EXPO ULL modułów G.SKILL, w dalszym ciągu nie uzyskiwały takich samych wyników jak chipy Samsung. Niewątpliwie to interesująca zagadka, która może mieć związek z timingami, które są niewidoczne dla użytkownika.
Jeśli chodzi o spostrzeżenia z testów OC, które wykonałem, tolerancja na napięcie jest dobra dla kości Hynix oraz Samsung i słaba dla układów Micron, ponieważ w ich wypadku podbicie woltażu z 1,35 V na 1,45 V spowodowało znaczne pogorszenie stabilności. Bardzo niskie CL można ustawić tylko dla chipów Hynix, ale te od Samsunga też są pod tym względem niezłe, a poza tym mają przewagę w zakresie tRCD oraz tRP. Kości Micron naturalnie nieco odstają, jeżeli chodzi o opóźnienia podstawowe, ale wciąż można je "skalibrować" całkiem dobrze. Bardzo niskie tRFC oraz tWTRL to kolejne timingi, które są osiągalne tylko dla Hynix A-die, ale jest też przykład odwrotny, gdyż tRRDL równy 4 działał poprawnie na układach Micron oraz Samsung, a na Hynix nie. W kontekście chipów Micron warto jeszcze zwrócić uwagę, że wymagają wysokiego tRC oraz tWRWRSCL i trochę wyższego tWTRS od rywali, ale z drugiej strony pozwalają wyjątkowo nisko ustawić tRDRDWR. Innymi słowy, każdy rodzaj układów ma swoją charakterystykę, z którą trzeba się zapoznać podczas tuningowania ustawień.
Hynix A-die i Samsung B-die zapewniają topowe rezultaty w trybie synchronicznym, ale do ataku na 8000+ MT/s nadają się wyłącznie A-die. Z kolei chipy Micron odstają od rywali, ale na tyle niewiele, że zestaw na nich bazujący za "rozsądne" pieniądze to dobry zakup.
Kości DDR5 Micron na AM5. Test Patriot Viper Steel 5 Infinite
Ogólne wskazówki dla kupujących pamięć DDR5 oraz słowo końcowe
Reasumując, dla nabywcy, który chce we własnym zakresie zoptymalizować RAM DDR5 w trybie synchronicznym, tzn. przy szybkości 6000 do 6400 MT/s, kości Samsung B-die oraz Hynix A-die są równie dobre i zapewniają taką samą wydajność. Za to układy firmy Micron będą od nich odstawać, ale na szczęście nieznacznie, czyli nie widzę powodu, by ich unikać, oczywiście jeśli traficie na taki zestaw w "dobrej" cenie. Jednak, gdy celujecie w wysokie zegary w wariancie asynchronicznym, Hynix A-die jest tak naprawdę jedyną sensowną opcją, choć warto dodać, że istnieją także starsze chipy tej firmy (M-die), które w tym aspekcie są zbliżone do Samsung B-die, zatem jeżeli będziecie mieć pecha, to nie zaszalejecie, a pamięć ew. trzeba będzie zwrócić do sklepu. Na rynku co prawda są jeszcze moduły na kościach Nanya oraz chińskiego CXMT, ale w Polsce raczej ich nie znajdziecie, więc myślę, że na dzień dzisiejszy materiał jest wystarczająco kompletny, ale jeśli pojawi się okazja jego rozszerzenia, oczywiście z niej skorzystam.
Pokaż / Dodaj komentarze do:
Hynix vs. Micron vs. Samsung. Jakie kości w pamięci RAM wybrać?