Chińska firma Netac będzie oferować gamingowe moduły DDR5 o prędkościach powyżej 10000 MHz

Chińska firma Netac będzie oferować gamingowe moduły DDR5 o prędkościach powyżej 10000 MHz

Chiński producent pamięci i produktów flash, Netac, twierdzi, że będzie oferował gamingowe moduły RAM typu DDR5 z taktowaniami przekraczającymi 10000 MHz. Firma OEM ogłosiła wczoraj, że podobnie jak kilku innych producentów pamięci, oni również otrzymali pierwszą partię pamięci DDR5 od Microna. Dzięki tej początkowej partii producent może rozpocząć przygotowanie własnych produktów opartych na tej technologii. Pamięci DRAM, które otrzymała ta firma, mają kod produktu IFA45 Z9ZSB, co oznacza, że są to wczesne próbki układów scalonych (ES IC). Pamięć DRAM ma pojemność 2Gx8 i jest przystosowana do pracy z timingami CL40. Układy te są oparte na litografii 1znm i mają wymiary 11 x 9mm lub 99 mm2.

Netac twierdzi, że będzie oferował gamingowe moduły RAM typu DDR5 z taktowaniami przekraczającymi 10000 MHz.

 

Chińska firma Netac, że będzie oferować gamingowe moduły DDR5 o prędkościach powyżej 10000 MHz

Netact twierdzi, że będzie oferować pamięć DDR5 klasy gamingowej o prędkościach powyżej 10000 MHz. Przypominamy, że natywne prędkości DDR5 będą wynosić 4800 MHz, a przejście do 10000 MHz oznacza oferowanie dwukrotnie większej prędkości. Ciekawi więc jesteśmy, w jaki sposób chiński producent uzyskał tak duży wzrost prędkości. Nie jest to jednak niemożliwe, ponieważ pamięć DDR4 zaczynała się od 2133 MHz i widzieliśmy kilku producentów oferujących zestawy o częstotliwości do 5333 MHz, które można dalej podkręcić nawet do 6000 MHz, o ile ma się pewne doświadczenie w zakresie OC. Wspomina się już także o modułach DDR5 dochodzących do 8400 MHz, a co więcej T-Force już wcześniej ujawniło, że pamięć DDR5 oferuje znacznie więcej miejsca na regulację napięcia, jeśli chodzi o obsługę podkręcania. 

Wynika to przede wszystkim z ulepszonych układów scalonych zarządzania energią (PMIC), które pozwalają na napięcia powyżej 2,6 V. Warto również nadmienić, że istniejące moduły pamięci DDR4 radziły sobie z konwersją napięcia przez płytę główną, ale to ulegnie zmianie wraz z nowym standardem DRAM. Komponenty wymagane do konwersji napięcia są teraz przenoszone do samej pamięci DIMM, zmniejszając zużycie napięcia i generowanie szumów, jednocześnie zwiększając potencjał OC. Z racji tego, że rozpoczęto już masową produkcję pamięci DDR5, możemy spodziewać się, że odpowiednie moduły będą gotowe na premierę platform konsumenckich, które oferować będą wsparcie dla tej technologii, jak procesory Intel Alder Lake 12. generacji i towarzyszące im płyty główne Z690, które mają zadebiutować w drugiej połowie roku.

Pokaż / Dodaj komentarze do: Chińska firma Netac będzie oferować gamingowe moduły DDR5 o prędkościach powyżej 10000 MHz

 0