Micron rozpoczął masową produkcję układów DRAM w litografii 1α. Ekstremalne zagęszczenie bez EUV

Micron poinformował we wtorek, że rozpoczął masową produkcję układów DRAM przy użyciu najnowszej technologii procesu litograficznego 1α (1-alfa). Początkowo firma będzie używać nowej technologii do układów scalonych pamięci LPDDR4X i 8 Gb kości DDR4, ale ostatecznie wykorzysta ten proces produkcyjny do wytwarzania wszystkich swoich pamięci DRAM. W przeciwieństwie do swoich rywali Micron nie planuje używać litografii w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) przez co najmniej kilka lat. Jednak z racji tego, że firma wciąż musi zwiększyć gęstość swoich chipów pamięci i obniżyć koszty za bit, Micron zmuszony jest polegać na innych innowacjach, aby zmniejszyć kości pamięci DRAM. Litografia 1α oferuje 40% poprawę gęstości bitowej i 15% spadek zużycia energii w porównaniu do 1Z. Oferuje również wyższy potencjał wydajności. 

Technologia 1α zapewniać ma 40% poprawę w zakresie gęstości pamięci i 15% zmniejszenie poboru mocy. 

Micron musiał ulepszyć design, by poprawić wydajność i zastosować nowe materiały, w tym lepsze przewodniki i izolatory, a także nowe maszyny do osadzania, modyfikowania lub selektywnego usuwania tych materiałów. 8 Gb chipy DDR4 Microna, które są już dostarczane partnerom w masowych ilościach, jako pierwsze wykorzystują technologię 1α. Firma rozpocznie sprzedaż układów LPDDR4X produkowanych z wykorzystaniem litografii 1α jeszcze w tym miesiącu. Micron zamierza praktycznie przenieść całą swoją pamięć DRAM na 1α, w tym DDR5, HBM2E i GDDR6/GDDR6X. Micron używa obecnie swojej technologii 1α w swojej fabryce A3 w Taichung na Tajwanie. W przyszłości firma zastosuje nową technologię w innych fabrykach. Producent zakończył również weryfikację swojej pamięci DDR4 opartej na 1α na najnowszych platformach serwerowych, w tym na trzeciej generacji procesora AMD EPYC „Milan”. Te same chipy mogą być również używane do notebooków.

DRAM to duża część działalności firmy, stanowiąca 70 procent przychodów Microna w ostatnim kwartale 2020 r. Producent jednak ostrzega, że ​​dalsze skalowanie pamięci DRAM będzie niezwykle trudnym zadaniem, którego nie rozwiąże implementacja technologii ekstremalnie dalekiego ultrafioletu (EUV), ale firma ma podobno plan kolejnych ulepszeń w ciągu następnej dekady. Obecnie Micron ciężko pracuje nad rozwojem swoich litografii 1β i 1𝛾 przy użyciu sprawdzonych metod tworzenia wielu wzorców, co pozwolić ma uzyskać konkurencyjne DRAM pod względem gęstości bitowej, zużycia energii, wydajności i kosztów. Firma rozważa wykorzystanie EUV dla 1𝛿, ale jest to planowane dopiero na 2024 lub 2025 r. i jak wyjaśnia producent, nie jest to kluczowy czynnik umożliwiający skalowanie, a poza tym jest szczególnie trudny do zastosowania w coraz bardziej złożonej budowie DRAM, jak DDR5, GDDR6/6X. Tymczasem Samsung wykorzystuje już EUV do masowej produkcji pamięci DDR4 i LPDDR5, a SK Hynix opracowuje nowy proces technologiczny w oparciu o tę technologię. Czas pokaże, która strategia była lepsza.