Micron ujawnia swoje plany odnośnie pamięci - HBMNext, GDDR7 i DDR5 o większej pojemności

Micron przedstawił swój raport za trzeci kwartał, w którym zaprezentował harmonogram dla pamięci DRAM, który obejmuje produkty HBM3 nowej generacji, GDDR7 i gęstsze kości DDR5.

HBM3 Gen2

Micron zaprezentował najszybszą w branży pamięć DRAM HBM o największej pojemności. To nowe rozwiązanie HBM jest określane jako HBM3 Gen2 i będzie wykorzystywać litografię 1β, co pozwolić ma na wyższe prędkości i wydajność. 

HBM3 Gen2 wydaje się rozwiązaniem pośrednim, które posłuży jako przejście do standardu HBM nowej generacji, na który zapewne poczekamy jeszcze kilka lat. W związku z tym Micron stara się wycisnąć ostatnie soki z istniejącego standardu HBM3. Pierwsza iteracja HBM3 Gen2 będzie miała konstrukcję 8-Hi, oferującą pojemność do 24 GB i przepustowość przekraczającą 1,2 TB/s przy nawet 2,5-krotnie większej wydajności na wat w porównaniu z poprzednią generacją. Pamięć DRAM będzie działać z szybkością 9,2 Gb/s, co stanowi wzrost o 50% w stosunku do obecnego standardu, który działa z szybkością około 4,6 Gb/s. Produkcja tych pamięci ma wystartować w 2024 roku.

W tym samym czasie Micron rozpocznie również rozsyłanie próbek drugiej iteracji pamięci HBM3 Gen2, która zostanie wprowadzona na rynek w 2025 r. Ta będzie oferować konstrukcję 12-Hi z pojemnością do 36 GB, a prędkości także mają tu sięgać 1,2 TB/s. Oba rozwiązania HBM3 Gen2 będą ukierunkowane na sztuczną inteligencję (w tym generatywną, która szturmem podbija branżę).

HBMNext

Ale to nie wszystko, firma wspomina bowiem także o pamięciach DRAM HBMNext, co może odnosić się do HBM4. To rozwiązanie będzie oferować pojemności od 36 GB do 64 GB i przepustowość od 1,5 do ponad 2 TB/s. Konkurent, SK Hynix, również przygotowuje się do wprowadzenia na rynek pamięci HBM4 i zamierza ją dostarczyć do 2026 r., czyli w tym samym czasie co HBMNext od Micron.

GDDR7

Oprócz HBM3 Gen2 i HBMNext, Micron ujawnił również swoje plany co do pamięci GDDR7. Firma potwierdziła już, że do pierwszej połowy 2024 r. będzie oferować VRAM nowej generacji, co oznacza, że toczy wyścig z Samsungiem, który w zeszłym tygodniu również ogłosił GDDR7 o prędkości 32 Gb/s na przyszły rok.

Co ciekawe, Micron oferować będzie GDDR7 zarówno w układach DRAM 16 Gb, jak i 24 Gb. Pozwoli to na uzyskanie większej pojemności w porównaniu z GDDR6X, który był ograniczony do zaledwie 16 Gb matryc. Pamięć GDDR7 będzie również działać z większą prędkością 32 Gb/s, oferując do 128 GB/s przepustowości na moduł. Oto, czego możemy się spodziewać po różnych konfiguracjach magistrali:

• 128-bit @ 32 Gbps: 512 GB/s / 12 GB VRAM
• 192-bit @ 32 Gbps: 768 GB/s / 18 GB VRAM
• 256-bit @ 32 Gbps: 1024 GB/s / 24 GB VRAM
• 320-bit @ 32 Gbps: 1280 GB/s / 30 GB VRAM
• 384-bit @ 32 Gbps: 1536 GB/s / 36 GB VRAM

Pierwszych konsumenckich rozwiązań opartych na technologii GDDR7 możemy spodziewać się pod koniec 2024 lub na początku 2025 roku. Ryan Smith z Anandtech zwraca również uwagę, że nie ogłoszono jeszcze specjalistycznego wariantu „X” dla GDDR7. Micron miał GDDR5X i GDDR6X, które były dostępne wyłącznie dla GPU NVIDII i niewykluczone, że podobnie będzie to wyglądać w przypadku nowej generacji VRAMu. 

DDR5

Micron ujawnił też swoje 32 Gb układy scalone DRAM DDR5, które również wykorzystują litografię 1β i ich produkcja rozpocznie się w pierwszej połowie 2024 r. z pojemnościami sięgającymi 128 GB na moduł i 1 TB na DIMM. Będą one skierowane najpierw do serwerów, ale możemy spodziewać się, że w jakiejś formie trafią także na rynek konsumencki, jak w przypadku 24-gigabitowych kości DRAM, które oferują do 48 GB pojemności na DIMM.