Neo Semiconductor prezentuje 3D X-DRAM, pierwszą na świecie technologię dla pamięci 3D DRAM

Kalifornijska firma wprowadza na rynek coś, co nazywa przełomowym rozwiązaniem zwiększającym gęstość chipów DRAM dzięki technologii układania w stosy 3D, znanej już choćby z pamięci NAND flash czy cache 3D V-cache w Ryzenach. Nowe układy pamięci znacznie zwiększą pojemność DRAM, a jednocześnie będą wymagały tanich i niewymagających wysiłków w utrzymaniu nakładów produkcyjnych.

RAM w stosach niczym 3D NAND

NEO Semiconductor twierdzi, że 3D X-DRAM to pierwsza na świecie technologia podobna do 3D NAND dla pamięci DRAM, rozwiązanie opracowane w celu rozwiązania problemu wąskiego gardła pojemności DRAM przy jednoczesnym zastąpieniu „całego rynku 2D DRAM”. Firma twierdzi, że jej rozwiązanie jest lepsze niż konkurencyjne produkty, ponieważ jest znacznie wygodniejsze we wdrażaniu niż inne opcje dostępne obecnie na rynku.

NEO Semiconductor twierdzi, że 3D X-DRAM to pierwsza na świecie technologia podobna do 3D NAND dla pamięci DRAM.

3D X-DRAM wykorzystuje strukturę macierzy DRAM podobną do 3D NAND, opartą na bezkondensatorowej technologii pływających komórek ciała, jak wyjaśnia NEO Semiconductor. Chipy 3D X-DRAM mogą być wytwarzane przy użyciu tych samych metod, które są obecnie stosowane w przypadku chipów 3D NAND, ponieważ potrzebują tylko jednej maski do zdefiniowania otworów linii bitowej i uformowania struktury komórkowej wewnątrz otworów.

Ta struktura komórek upraszcza liczbę etapów procesu produkcyjnego, zapewniając „szybkie, tanie i wydajne rozwiązanie o dużej gęstości” do produkcji pamięci systemowych 3D. NEO Semiconductor szacuje, że jego nowa technologia 3D X-DRAM może osiągnąć gęstość 128 Gb z 230 warstwami, czyli 8 razy większą niż obecna gęstość DRAM.

Nie ma innej drogi

Przedsiębiorstwo tłumaczy, że w całej branży trwa wyścig mający na celu wprowadzenie rozwiązań układania 3D na rynek DRAM. Dzięki 3D X-DRAM producenci chipów mogą wykorzystać obecny „dojrzały” proces 3D NAND bez potrzeby stosowania bardziej egzotycznych technologii proponowanych przez artykuły naukowe i badaczy z branży pamięci.

NEO Semiconductor przekonuje, że rozwiązanie 3D X-DRAM pozwoli uniknąć dziesięcioletnich opóźnień w przyjęciu przez producentów DRAM technologii podobnej do 3D NAND, podczas gdy kolejna fala „aplikacji sztucznej inteligencji”, takich jak wszechobecny algorytm chatbota ChatGPT, spowoduje wzrost popytu na wysokowydajne systemy pamięci o dużej pojemności.

Andy Hsu, założyciel i dyrektor generalny firmy NEO Semiconductor, przedstawiany przez swoją firmę jako „wybitny wynalazca technologii” z ponad 120 amerykańskimi patentami, powiedział, że 3D X-DRAM jest zdecydowanie najlepszym rozwiązaniem na rozwijającym się rynku 3D DRAM. Jest bardzo proste i tanie w produkcji oraz skalowaniu, co może wywołać boom, zwłaszcza na rynku serwerów z jego rosnącym zapotrzebowaniem na moduły DIMM o dużej gęstości.

Firma spodziewa się dalszego rozwoju i ulepszania technologii, przy liniowym wzroście gęstości ze 128 Gb do 1 TB w połowie lat 30. XXI wieku. My czekamy zaś na pierwsze komercyjne wykorzystanie tej technologii w praktyce.