Nowa pamięć QLC Flash od Samsunga pozwoli na dyski SSD o pojemności 16 TB

Wielopoziomowe komórki pamięci (MLC) mogą przechowywać jednocześnie więcej niż jeden bit informacji cyfrowych, a chipy MLC stanowią podstawę nowoczesnych dysków półprzewodnikowych. Samsung wkrótce wprowadzi na rynek nową generację dysków SSD opartych na czteropoziomowych komórkach pamięci (QLC), zapewniających niespotykaną dotąd gęstość powierzchniową w zastosowaniach związanych z pamięcią masową.

Nowa Edycja Międzynarodowej Konferencji Obwodów Półprzewodnikowych IEEE (ISSCC) 2024 odbędzie się w San Francisco w dniach 18–22 lutego i najwyraźniej Samsung zamierza skraść show, prezentując swoje nowe rozwiązania pamięci. Koreański gigant opracował nową generację chipów QLC Flash, które będą zawierać 280 warstw, osiągając zagęszczenie 28,5 Gb na milimetr kwadratowy.

Nowe chipy QLC NAND V9 od Samsunga mają być o 50% gęstsze niż produkty konkurencji.

Nowe chipy QLC NAND V9 od Samsunga mają być o 50% gęstsze niż produkty konkurencji (np. chińskie YMTC i ich 232-warstwowe pamięci), zapewniając obecnie najwyższą gęstość powierzchniową w branży pamięci Flash (QLC lub TLC). Chipy QLC NAND V9 są również szybsze i zapewniają maksymalną szybkość transferu wynoszącą 3,2 Gb/s w porównaniu z 2,4 Gb/s zapewnianymi przez poprzednią generację.

Przesyłanie danych i wydajność nadal stanowią problem w przypadku dysków SSD opartych na technologii QLC, ale przepustowość na poziomie 3,2 Gb/s powinna w zupełności wystarczyć, aby nowe chipy stały się atrakcyjnym rozwiązaniem dla dysków półprzewodnikowych PCIe. Co istotne, dzięki technologii QLC NAND V9 firma Samsung będzie mogła wkrótce rozpocząć sprzedaż dysków SSD M.2 o pojemności 16 TB.

Samsung wielokrotnie stwierdzał, że ​​chipy QLC NAND Flash są przyszłością pamięci półprzewodnikowych, ponieważ chipy pamięci TLC szybko osiągają maksymalną, możliwą pojemność. Wyższa, niespotykana dotąd gęstość powierzchni zapewniana przez nowe chipy QLC, obniżyłaby koszty procesu produkcyjnego, chociaż ich prędkość nadal nie jest porównywalna z nowoczesnymi wysokiej klasy konsumenckimi dyskami SSD NVMe sprzedawanymi zarówno przez Samsunga, jak i konkurencję.

Prezentacja Samsunga podczas zbliżających się targów ISSCC powinna przynajmniej potwierdzić, że firma robi znaczne postępy w rozwoju technologii QLC. Obecne dyski SSD oparte na technologii QLC wykorzystują duże bufory pamięci podręcznej, które mogą zająć do 25 procent całkowitej pojemności dysku, co nieznacznie zmniejsza problemy z wydajnością. Gdy taki bufor się jednak zapełni, prędkość zapisu może spaść poniżej normy dla dysków SATA (100-300 MB/s).

Do producentów konkurujących obecnie z Samsungiem na rynku pamięci masowych QLC należy Micron, która opracował 232-warstwowe chipy QLC zapewniające gęstość przechowywania na poziomie 19,5 Gb na milimetr kwadratowy. YMTC opracowuje także rekordowe rozwiązanie pamięci QLC z 232 warstwami i gęstością 20,62 Gb na milimetr kwadratowy. Koreańczycy już wkrótce osiągną tu jednak dużą przewagę.