Plany Intela zakładają nową litografię co dwa lata, aż do 1,4 nm w 2029 r.

Do sieci wyciekł właśnie harmonogram procesów technologicznych Intela, który ujawnia, że gigant z Santa Clara zamierza przedstawiać nową litografię co dwa lata przez całą dekadę, dochodząc aż do 1,4 nm w 2029 roku. Ponadto, każdy z procesów doczekać ma się dwóch generacji oznaczanych symbolem +, a w przypadku 10 nm w 2021 roku dojdziemy nawet do +++. Plany te przedstawiono na prezentacji ASML w trakcji trwającej konferencji IEDM 2019. Wskazują one na debiut 10 nm w 2019, co rzeczywiście miało miejsce (na razie tylko na platformach mobilnych), 7 nm w 2021 roku, 5 nm w 2023, 3 nm w 2025 roku, 2 nm w 2027 roku i 1,4 nm w 2029 roku. Wygląda więc, że Intel zamierza przywrócić dwuletnią kadencję procesów technologicznych, która już dawno została porzucona przez niebieską ekipę. Trzeba jednak zauważyć, że 7 nm planowane jest na czwarty kwartał 2021 roku, co oznacza, że najmniejsze opóźnienie może sprawić, że Intel nie dotrzyma tych terminów.

Harmonogram procesów technologicznych Intela ujawnia, że gigant z Santa Clara zamierza przedstawiać nową litografię co dwa lata przez całą dekadę, dochodząc aż do 1,4 nm w 2029 roku.

Harmonogram niestety nie zdradza żadnych technologii, które wykorzystywane będą przez poszczególne litografie i dowiadujemy się jedynie, że każda wprowadzi nowe funkcje i realizowana będzie na drodze optymalnych kosztów do wydajności. W przypadku 7 nm oznacza to wykorzystanie technologii EUV. Jeśli zaś chodzi 5 nm, to oczekiwać można, że Intel porzuci strukturę Tranzystora Tri-Gate FinFET na rzecz technologii nanodrutów Gate-All-Around (GAA), a następnie stosów nanodrutów. Niewykluczone też, że firma sięgnie po litografię high-NA EUV w przypadku 5 nm. Nie wiemy jednak, czemu harmonogram przedstawia 10nm++ i 10 nm+++ jako następców zwykłego 10nm (skąd te dodatkowe plusy) - być może litografia ta doczeka się więc czterech rewizji.  

Jeśli plany Intela zostaną zrealizowane, to niewątpliwie przytrzyma to przy życiu prawo Moore’a, przynajmniej przez najbliższą dekadę. Proces rzędu 1,4 nm może posiadać zagęszczenie 1,6 mld tranzystorów na milimetr kwadratowy, choć trzeba podkreślić, że końcowe produkty przeważnie wykorzystują mniejsze zagęszczenie niż teoretyczny potencjał litografii. Jak na razie należy podchodzić do tych planów jak do optymistycznej wizji Intela, ponieważ po drodze na producenta czeka jeszcze wiele przeszkód, o czym ten dobitnie się przekonał realizując swoje 10 nm, które zablokowało go na kilka dobrych lat.