CEO Intela idzie na emeryturę, ale zostawia firmę w tragicznej kondycji. Tragiczny uzysk

CEO Intela idzie na emeryturę, ale zostawia firmę w tragicznej kondycji. Tragiczny uzysk

Intel stoi przed poważnymi wyzwaniami w rozwoju swojego najbardziej zaawansowanego procesu technologicznego, węzła 18A (klasa 1,8 nm). Choć jego wdrożenie planowane jest na 2025 rok, aktualne wskaźniki wydajności oraz problemy z gęstością pamięci SRAM budzą wątpliwości, czy firma sprosta oczekiwaniom rynku.

Najnowsze doniesienia wskazują, że uzysk produkcji w technologii 18A wynosi obecnie mniej niż 10%, co oznacza, że dziewięć na dziesięć wyprodukowanych układów jest wadliwych. To drastycznie niski poziom, który może uniemożliwić komercyjne wykorzystanie tej technologii w najbliższym czasie. Problem ten jest szczególnie dotkliwy, ponieważ Intel zrezygnował z rozwijania węzła 20A (klasa 2 nm), przekierowując zasoby na 18A. Jeśli raporty potwierdzą tak niski poziom wydajności, konieczne będą poważne usprawnienia procesu produkcyjnego, aby mógł zadebiutować w 2025 roku.

Ostateczny sukces Intela w pracach nad 18A zależy od szybkości wprowadzania ulepszeń i zdolności do konkurowania na polu gęstości pamięci SRAM oraz wskaźników uzysku.

Krytyczna różnica w gęstości pamięci SRAM

Obok problemów z wydajnością, Intel zmaga się także z wyzwaniem związanym z gęstością pamięci SRAM, kluczowego elementu układów scalonych. Na tym polu przewagę ma konkurencyjna firma TSMC, która w swoim procesie N2 (klasa 2 nm) osiągnęła gęstość 38 Mb/mm² przy wielkości komórki bitowej 0,0175 μm². Dla porównania, proces Intela 18A oferuje gęstość 31,8 Mb/mm² przy wielkości komórki bitowej 0,021 μm², co bardziej przypomina starsze technologie TSMC, takie jak N3E i N5. W kontekście nowoczesnych projektów układów scalonych, gdzie wymagania dotyczące pamięci SRAM stale rosną, zwiększenie gęstości tych komórek jest kluczowe dla poprawy wydajności i redukcji kosztów.

Jednym z kluczowych narzędzi pozwalających na zwiększenie gęstości i wydajności jest technologia Gate-All-Around (GAA), która zastępuje tradycyjne tranzystory finFET. GAA umożliwia lepszą kontrolę nad kanałem tranzystora, co pozwala na bardziej efektywne skalowanie i redukcję wycieków prądu. Zarówno Intel, jak i TSMC stosują GAA w swoich zaawansowanych procesach, jednak to TSMC ma osiągnąć w tej dziedzinie większe sukcesy dzięki precyzyjnemu projektowi N2.

Mimo tych wyzwań Intel wciąż ma czas, by poprawić wydajność produkcji 18A i sprostać wymaganiom rynku. Potencjalny sukces tej technologii mógłby zapewnić firmie przewagę konkurencyjną w kluczowych segmentach, takich jak serwerowe układy scalone Clearwater Forest, mobilne procesory Panther Lake, a także niestandardowe układy do sztucznej inteligencji.

Eksperci wskazują, że jeśli Intelowi uda się podnieść wydajność produkcji do poziomu 60% lub wyższego, proces 18A może stać się podstawą dla kolejnej generacji produktów, oferując realną konkurencję dla TSMC i Samsunga.

Problemy Intela nie są odosobnione. Cały przemysł półprzewodników zmaga się z wyzwaniami związanymi z miniaturyzacją i złożonością nowych procesów technologicznych. Wydajność Samsunga dla procesów poniżej 3 nm wynosi obecnie mniej niż 50%, a dla tranzystorów GAA oscyluje na poziomie 10–20%.

 

Obserwuj nas w Google News

Pokaż / Dodaj komentarze do: CEO Intela idzie na emeryturę, ale zostawia firmę w tragicznej kondycji. Tragiczny uzysk

 0
Kolejny proponowany artykuł
Kolejny proponowany artykuł
Kolejny proponowany artykuł
Kolejny proponowany artykuł