Intel 18A wyrównuje szanse z TSMC N2. Rekordowa gęstość pamięci w procesie 18A

Podczas konferencji International Solid-State Circuits Conference 2025 (ISSCC 2025) firma Intel zaprezentowała najnowsze osiągnięcia w rozwoju swojego procesu technologicznego 18A, zaskakując zarówno analityków, jak i konkurencję.

Choć jeszcze kilka dni temu niezależna analiza sugerowała, że gęstość tranzystorów w procesie Intel 18A będzie niższa niż w nadchodzącym procesie N2 tajwańskiego giganta TSMC, najnowsze dane pokazują, że sytuacja może być bardziej wyrównana, niż się wydawało.

Proces Intel 18A vs TSMC N2

Wprowadzenie procesu Intel 18A na rynek spodziewane jest za około pół roku, podczas gdy konkurencyjne układy 2-nanometrowe od TSMC mogą pojawić się dopiero później. Jeszcze niedawno prognozy wskazywały, że TSMC może uzyskać znaczną przewagę pod względem gęstości tranzystorów, jednak Intel zaskoczył rynek nowymi wynikami dotyczącymi pamięci HDC SRAM.

Na konferencji ISSCC 2025 Intel ogłosił, że osiągnął gęstość pamięci SRAM na poziomie 34,3 Mb/mm2, przy jednoczesnym obniżeniu minimalnego napięcia o 68 mV. Co więcej, dzięki innowacyjnej konfiguracji i dalszej optymalizacji obwodów peryferyjnych, możliwe było uzyskanie jeszcze wyższej gęstości — 38,1 Mb/mm2.

Dla porównania, proces TSMC N2 oferuje gęstość pamięci na poziomie około 38 Mb/mm2, co oznacza, że oba procesy są pod tym względem niemal równoznaczne. Warto jednak zaznaczyć, że ostateczna wydajność układów scalonych zależy od wielu czynników, nie tylko od gęstości pamięci.

Pod względem wielkości komórek SRAM, TSMC N2 wydaje się mieć przewagę. Firma osiągnęła powierzchnię komórki wynoszącą zaledwie 0,0175 µm2, podczas gdy Intel zatrzymał się na 0,021 µm2. Jednak tutaj pojawia się istotna różnica technologiczna — Intel już teraz wdraża technologię PowerVia (znaną również jako Backside Power Delivery), która ma poprawić efektywność zasilania układów scalonych.

TSMC planuje wdrożenie tej technologii dopiero w kolejnych generacjach procesów produkcyjnych. Dzięki PowerVia, Intel może efektywniej zarządzać zasilaniem, co w połączeniu z technologią RibbonFET przekłada się na zwiększenie gęstości i wydajności układów.

Obie firmy wykorzystują technologię GAA (Gate All Around), co pozwala na bardziej precyzyjne sterowanie przepływem prądu przez tranzystory, zwiększając tym samym ich efektywność i minimalizując straty energii.

Czy Intel zdoła dogonić TSMC?

Na ten moment wydaje się, że Intel zmniejsza dystans dzielący go od TSMC, ale analitycy zalecają ostrożność. Przed nami jeszcze wiele miesięcy zanim zobaczymy pierwsze komercyjne układy oparte o te technologie. Niezależne testy i benchmarki będą kluczowe, aby ocenić, który proces rzeczywiście zapewnia lepszą wydajność i efektywność energetyczną.

Jeśli Intel zdoła skutecznie wdrożyć swoje rozwiązania na szeroką skalę, może to znacząco wzmocnić jego pozycję na rynku półprzewodników. Konkurencja między Intelem a TSMC jest niezwykle istotna dla całego sektora technologicznego, ponieważ większa rywalizacja zazwyczaj prowadzi do szybszego postępu technologicznego i korzystniejszych cen dla konsumentów.