Samsung ogłosił stworzenie pierwszej 512 GB pamięci DDR5 opartej na technologii High-K Metal Gate (HKMG), która gwarantuje zdaniem producenta ponad dwukrotnie większą wydajność niż DDR4, z przepustowością do 7200 Mb/s. Do powstania modułu wykorzystano trzydzieści dwie kości 16 GB RAM, a także zastosowano silikonowane interkonekty czy dielektryki jako izolatory. Samsung skorzystał z technologii HKMG po raz pierwszy w 2018 roku w modułach GDDR6 używanych w kartach graficznych. Opracowany RAM jest dedykowany przede wszystkim dużym centrom danych i superkomputerom, które będą w stanie wykorzystać jego potencjał chodzi np. o sprzęt z procesorami Intel Xeon. Co ważne kość pobiera o 13% mniej energii niż inne moduły, więc przełoży się to na pewną energooszczędność.
Samsung ogłosił stworzenie 512 GB pamięci DDR5.
Dodatkowo jeśli RAM zostanie użyty z CPU mającym osiem kanałów pamięci wówczas zostanie on wyposażony w 8 TB RAM DDR5. Obecnie testowe pamięci 512 GB RAM trafiają do partnerów Samsunga i ciężko ocenić, kiedy dokładnie zadebiutują na rynku. Wskazuje się jednak, że moduł Samsunga, który w pierwszej kolejności musi przejść certyfikację zostanie wprowadzony do sklepów w 2022 roku. Cóż tak jak wspominaliśmy będzie to niewątpliwie przydatna propozycja dla większych przedsiębiorstw w tym centrów danych przetwarzających ogromne ilości informacji. Południowokoreański gigant to nie jedyny podmiot produkujący pamięci. Longsys pochwaliło się ostatnio wynikami wydajności swoich modułów RAM DDR5 przetestowanych na platformie Intel Alder Lake.
Oba modele osiągnęły 6400 MHz przy opóźnieniach CL40. Tymczasem osoby zamierzające kupić nowe pamięci mogą szykować się na podwyżki cen. Zdaniem TrendForce skok cen ma być odczuwalny, a pierwsze podwyżki o 3-8% były już na początku roku. Oczekiwany wzrost pamięci graficznych DRAM wyniesie 10-15% co oznacza, że niekorzystna sytuacja na rynku dotnie jeszcze bardziej klientów chcących wymienić karty graficzne.
Pokaż / Dodaj komentarze do: Samsung opracował 512 GB pamięć DDR5