Samsung opracował pamięci GDDR7 o prędkości 36 Gb/s dla przyszłych GPU

Samsung ujawnił swoje plany dotyczące rozwiązań DRAM i pamięci nowej generacji, w tym GDDR7, DDR5, LPDDR5X i V-NAND.

Firma nie zamierza zmniejszać swoich nakładów na rozwój pamięci, gdyż jest przekonana, że jest to niezbędne do zapewnienia sobie dominacji technologicznej nad konkurentami. W tym celu Samsung stawia na procesy produkcyjne nowej generacji, które pozwolą na skalowanie gęstości pamięci w pamięciach DRAM, VRAM i najnowszej, najgęstszej pamięci NAND, która może w przyszłości obsługiwać intensywne obciążenia danych.

W dziedzinie DRAM firma ogłosiła, że masowa produkcja jej najnowszej piątej generacji klasy 10 nm (1b) rozpocznie się do 2023 roku. Prowadzone są badania w produkcji pamięci DRAM poniżej 10 nm, przy użyciu nowych wzorców, materiałów i projektów architektonicznych, które obejmują bramki High-K. Samsung mocno wyprzedza większość swoich rywali, którzy zazwyczaj produkują układy DRAM w litografii klasy 14 nm.

Nowa generacja pamięci GDDR7 Samsunga, która z pewnością napędzać będzie przyszłe GPU, jest już w produkcji. Oferuje prędkości do 36 Gb/s, czyli podwojenie w stosunku do 18 Gb/s w GDDR6. Przy tych szybkościach transmisji danych 384-bitowa magistrala pamięci byłaby w stanie zapewnić przepustowość około 1,728 TB/s - to duży wzrost w porównaniu z przepustowością 1 TB/s nadchodzącego GeForce'a RTX 4090. Zapewni to producentom GPU wystarczający zapas przepustowości bez konieczności zwiększania szerokości magistrali, ponieważ doprowadziłoby to do droższych płytek drukowanych i potencjalnie jeszcze droższych grafik.

Jeśli chodzi o NAND, gdzie Samsung jest niekwestionowanym liderem, firma obecnie projektuje i prototypuje kości V-NAND 9. i 10. generacji, z odpowiednim wzrostem gęstości warstw w porównaniu z dzisiejszą technologią. Samsung dostarcza teraz swoją 176-warstwową V-NAND siódmej generacji, a do końca roku planuje wypuścić chipy V-NAND oparte na 230-warstwowej konstrukcji ósmej generacji. Ta ostatnia zaoferuje wzrost gęstości o 42% dzięki chipom o pojemności 512 Gb.

Jednak Samsung planuje jeszcze większe skoki gęstości i spodziewa się, że do 2030 r. będzie w stanie stworzyć 1000-warstwowy design V-NAND. Samsung kontynuuje również prace nad technologią QLC (Quad-Level Cell), mając nadzieję na zwiększenie wydajności przy jednoczesnym większej gęstości.

Kilku innych producentów pamięci ogłosiło ograniczenie produkcji pamięci w odpowiedzi na spowolnienie popytu, co częściowo można przypisać ogólnej sytuacji makroekonomicznej. Spowalniający popyt doprowadził już do nadpodaży na rynku pamięci, którą dyrektor generalny Micron określił jako „bezprecedensową”, co z kolei zmusiło firmę do zmniejszenia wydatków kapitałowych w roku fiskalnym 2023 o ponad 30% (około 8 miliardów dolarów) i dalszych 50% cięć wydatków na sprzęt do produkcji wafli. W Japonii Kioxia ogłosiła zaś 30% zmniejszenie produkcji wafli pamięci w nadziei, że wystarczy to na upłynnienie zgromadzonych zapasów. Obie firmy próbują w ten sposób walczyć z trendem zniżkowym na ceny NAND, który doskwiera im w 2022 r.

Samsung idzie w zgoła odmiennym kierunku i chce umocnić swoją wiodącą pozycję w tym segmencie. Trzeba jednak pamiętać, że liczne działy i strumienie przychodów Samsunga bardziej chronią go przed cyklicznymi warunkami rynkowymi i popytowymi, więc koreański gigant ma większe pole manewru. 

Zobacz także:

• Europejskie ceny płyt Z790. Najtańsze modele kupimy za mniej niż X670
• Intel Arc A770 i Arc A750 - testy i recenzje
• Bankructwo firmy stojącej za rosyjskimi procesorami Baikal. Prezesowi grozi 10 lat więzienia