Samsung prezentuje pamięci HBM2E. 16 GB na stos i 3,2 Gb/s na pin

Samsung prezentuje pamięci HBM2E. 16 GB na stos i 3,2 Gb/s na pin

Samsung zapowiedział właśnie swoją trzecią generację pamięci HBM2 (HBM2E), które noszą nazwę kodową Flashbolt. Te są w stanie osiągać prędkość transferu rzędu aż 3,2 Gb/s na pin i pojemność do 16 GB w ramach pojedynczego stosu i tym samym przynoszą znaczącą poprawę względem poprzedniej generacji HBM2 i sprawiają, że nawet zastosowane w karcie graficznej Radeon VII ułożone w poczwórne stosy 16 GB pamięci HBM2 pracujące z prędkością 2 Gb/s wyglądają dość blado. Pomimo relatywnie małego rozmiaru w porównaniu do GDDR5/6, koreańskiemu producentowi udało się tu zastosować design pozwalający na stosowanie stosu do ośmiu matryc DRAM (8-Hi) w ramach pojedynczego układu, które połączone są za pomocą przepustów przelotowych (TSV) i mikro wypustów. Samsung opisuje swój nowy produkt jako „wiodące pod względem wydajności rozwiązanie dla następnej generacji centrów danych, sztucznej inteligencji, maszynowego uczenia czy graficznych zastosowań”.

Pamięci Flashbolt są w stanie osiągać prędkość transferu rzędu aż 3,2 Gb/s na pin i pojemność do 16 GB w ramach pojedynczego stosu.

Samsung prezentuje pamięci HBM2E. 16 GB na stos i 3,2 Gb/s na pin

Dla porównania warto wspomnieć, że AMD wykorzystuje małe układy HBM2 w swojej architekturze Vega i zastosowało 8 GB tej pamięci w kartach Radeon RX Vega 64 i RX Vega 56. W lutym tego roku roku producent wypuścił zaś Radeona VII, gdzie podwoił liczbę pamięci do 16 GB HBM2, co możliwe było przy zastosowaniu czterech stosów typu 4-Hi. W przypadku HBM2E (Flashbolt) od Samsunga byłoby to możliwe już przy pojedynczym ośmiowarstwowym (8-Hi ) układzie. Każda z kości może osiągnąć tu bowiem do 16 Gb pojemności i jeśli zestawimy stos składający się z ośmiu matryc, otrzymamy aż 16 GB o przepustowości 410 GB/s. Trzeba jednak pamiętać, że technologia HBM2 jest bardzo droga, co widać właśnie po produktach AMD, które postanowiło ją zaimplementować w konsumenckich kartach graficznych dla graczy. Nie bez przyczyny Radeon VII kosztuje tyle, co GeForce RTX 2080 i ustępuje mu wydajnością oraz dodatkowymi możliwościami (czyt. ray tracing czy DLSS).

Z tego też powodu pamięci HBM2 lepiej odnajdują się w profesjonalnych zastosowaniach. NVIDIA dla przykładu upchnęła do karty graficznej Titan V 12 GB HBM2, ale nigdy nie zdecydowała się na postawienie na tę technologię w sowich mainstreamowych grafikach dla graczy. Zamiast tego zielona ekipa wybrała w przypadku swojej najnowszej generacji GPU pamięci GDDR6 (poza GTX 1660 i nadchodzącym GTX 1650, gdzie powrócono do GDDR5). Wracając jeszcze do Samsunga, warto przypomnieć, że przeszło rok temu firma wypuściła drugą generację HBM2 o nazwie Aquabolt, gdzie otrzymywaliśmy do 8 GB pracujących z prędkością 2,4 Gb/s, co przekładało się na przepustowość rzędu 307,2 GB/s. Był to bardzo znaczący wzrost względem pierwszej generacji, ale by przebić barierę 2 Gb/s producent zmuszony był podnieść napięcie do 1,35 V. Jak na razie Samsung milczy na temat napięć we Flashbolt, ale niewykluczone, że musiał ponownie je podnieść, by osiągnąć 3,2 Gb/s.  

Pokaż / Dodaj komentarze do: Samsung prezentuje pamięci HBM2E. 16 GB na stos i 3,2 Gb/s na pin

 0