SK hyninx prezentują pamięci 4D NAND flash TLC z 238 warstwami. To nowy rekord

Daniel Górecki | 03-08-2022, 14:45 |Źródło: sk hynix | 0

SK hyninx prezentują pamięci 4D NAND flash TLC z 238 warstwami. To nowy rekord

Micron niedawno chwalił się 232-warstwową pamięcią flash NAND TLC, tymczasem SK hynix już przebiło osiągnięcie amerykańskiego rywala, opracowując 3-bitowe kości NAND flash z 238 warstwami, które obecnie pochwalić mogą się najwyższym zagęszczeniem na rynku.

Firma niedawno rozesłała klientom próbki 238-warstwowej pamięci 4D NAND TLC o pojemności 512 Gb, a plan zakłada rozpoczęcie masowej produkcji w pierwszej połowie 2023 roku. „Nasze najnowsze osiągnięcie jest wynikiem opracowania 176-warstwowej pamięci NAND produkt w grudniu 2020 r.” – podała firma. „Warto zauważyć, że 238-warstwowy produkt oferuje jednocześnie najwięcej warstw przy najmniejszej powierzchni”.

Firma niedawno rozesłała klientom próbki 238-warstwowej pamięci 4D NAND TLC o pojemności 512 Gb, a masowa produkcja wystartuje w pierwszej połowie 2023 roku.

Firma zaprezentowała rozwój najnowszego produktu na konferencji Flash Memory Summit 20222 w Santa Clara. „SK hynix wprowadzając 238-warstwowy produkt oparty na technologiach 4D NAND, jest obecnie globalnie najbardziej konkurencyjną firmą pod względem kosztów, wydajności i jakości. Będziemy kontynuować innowacje, aby opracowywać przełomowe technologie” - powiedział Jungdal Choi, szef rozwoju NAND w SK hynix w swoim przemówieniu podczas wydarzenia.

Producent przekonuje, że od czasu opracowania 96-warstwowej pamięci NAND w 2018 roku, SK hynix wprowadziło szereg produktów 4D, które przewyższają istniejące rozwiązanie 3D. Firma zastosowała Charge Trap Flash (CTF) i Peri w technologiach komórek do wytwarzania chipów o strukturach 4D. Produkty 4D mają mniejszą powierzchnię komórki na jednostkę w porównaniu z 3D, co z kolei prowadzi do wyższej wydajności produkcji.

Pamięć NAND, osiągająca 238 warstwy, ma jednocześnie najmniejszą powierzchnię, co oznacza, że jej ogólna wydajność produkcyjna wzrosła o 34% w porównaniu z 176-warstwowym NAND, ponieważ z każdego wafla można wytworzyć więcej chipów o większej gęstości na jednostkę powierzchni.

Szybkość przesyłania danych w 238-warstwowej pamięci wynosi 2,4 Gb na sekundę, co stanowi 50% wzrost w porównaniu z poprzednią generacją. Ilość energii zużywanej na odczyt danych spadła zaś o 21%, co jest osiągnięciem, które spełnia również wytyczne ESG.

238-warstwowe pamięci zostaną najpierw zaadaptowane do konsumenckich dysków SSD, które są używane jako dyski w komputerach PC, a następnie zostaną dostarczone do smartfonów i serwerowych dysków SSD o dużej pojemności. Firma wprowadzi również w przyszłym roku produkty 238-warstwowe o pojemności 1 terabita (Tb), o gęstości podwojonej w porównaniu z obecnymi kośćmi.

Zobacz także: