SK Hynix prezentuje 24 GB pamięci HBM3 o przepustowości nawet 819 GB/s

SK Hynix ogłosiło pierwsze w branży 12-warstwowe stosy pamięci HBM3 o pojemności 24 GB, które oferują zarówno wysoką gęstość, jak i ekstremalną przepustowość 819 GB/s. Co warto podkreślić kości 12-Hi HBM3 zachowują taką samą wysokość jak istniejące 8-warstwowe kości HBM3, co oznacza, że ​​są łatwe do wdrożenia.

Pamięci HBM3 KGSD (Known Good Stack Die) od SK Hynix o pojemności 24 GB wykorzystują dwanaście urządzeń pamięci 16 Gb połączonych za pomocą interfejsu TSV (through silicon vias) umieszczonych na warstwie bazowej z 1024-bitowym interfejsem. Urządzenie charakteryzuje się szybkością transferu danych 6400 MT/s, dzięki czemu cały moduł HBM3 o pojemności 24 GB oferuje przepustowość na poziomie 819,2 GB/s.

SK Hynix ogłosiło pierwsze w branży 12-warstwowe stosy pamięci HBM3 o pojemności 24 GB.

HBM3 KGSD - pierwsze 12-warstwowe stosy pamięci o pojemności 24 GB

W zależności od rzeczywistego podsystemu pamięci, takie moduły mogą zapewniać przepustowość od 3,2 TB/s do 4,915 TB/s odpowiednio dla 96 GB pamięci na interfejsie 4096-bitowym lub 144 GB pamięci na interfejsie 6140-bitowym. Dla porównania, NVIDIA H100 NVL — najbardziej zaawansowana jak dotąd implementacja HBM3 — oferuje 96 GB pamięci z przepustowością 3,9 TB/s dla każdego z dwóch obliczeniowych procesorów graficznych GH100.

Układanie 12 warstw HBM DRAM jedna na drugiej jest wyzwaniem z kilku powodów. Po pierwsze, trudno jest wywiercić około 60 000 lub więcej otworów TSV w obudowie, aby połączyć wszystkie dwanaście warstw. Po drugie, pakiety 12-Hi HBM DRAM nie mogą być fizycznie wyższe niż 8-Hi HBM KGSD (zwykle 700 – 800 mikronów, 720 mikronów w przypadku Samsunga), aby ich instalacja obok procesora lub karty graficznej, które mają stałą wysokość, nie była zbyt skomplikowana. W tym celu producenci DRAM, tacy jak SK Hynix, muszą albo zmniejszyć grubość pojedynczej warstwy DRAM bez poświęcania uzysku lub wydajności (co wiąże się z wieloma wyzwaniami), albo zmniejszyć szczelinę między warstwami, a także odchudzić warstwę bazową.

Nowa pamięć SK Hynix jeszcze w tym roku

SK Hynix twierdzi, że aby zbudować swój produkt 12-Hi HBM3 o tej samej wysokości, co 8Hi HBM3, wykorzystało technologię hermetyzacji Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), która obejmuje mocowanie chipa Mass Reflow (MR) w celu obkurczenia podstawy procesy nakładania warstw i formowania podkładu (MUF) w celu zmniejszenia odstępów między matrycami. Trzeba przyznać, że brzmi to skomplikowanie. 

SK Hynix dostarczył próbki swojego produktu HBM3 o pojemności 24 GB do kilku klientów. Pamięć znajduje się obecnie w trakcie ewaluacji wydajności i ma wejść do masowej produkcji w drugiej połowie roku.