Sk hynix ujawnia harmonogram. Wiemy, kiedy otrzymamy DDR6 i GDDR7-next

Podczas wydarzenia SK AI Summit 2025 w Seulu południowokoreański gigant pamięci zaprezentował ambitną mapę rozwoju technologii DRAM i NAND na lata 2026–2031. 

SK hynix zdradziło szczegóły dotyczące kolejnych generacji pamięci HBM, DDR, GDDR i NAND, a także zapowiedziała szereg rozwiązań zoptymalizowanych pod kątem sztucznej inteligencji i obliczeń wysokiej wydajności (HPC).

SK hynix zdradziło szczegóły dotyczące kolejnych generacji pamięci HBM, DDR, GDDR i NAND.

 

HBM nowej ery: od HBM4 po HBM5E

SK hynix, jeden z liderów rynku pamięci HBM (High Bandwidth Memory), planuje w najbliższych latach wprowadzenie HBM4 z 16-warstwowymi stosami, a następnie jeszcze szybszych modułów HBM4E w konfiguracjach 8-, 12- i 16-warstwowych. To właśnie ta technologia ma stanowić fundament dla przyszłych układów AI, GPU i procesorów serwerowych, które będą napędzać rozwój generatywnej sztucznej inteligencji i uczenia maszynowego. W latach 2029-2031 firma zamierza pójść o krok dalej, wprowadzając HBM5 oraz HBM5E, czyli kolejne ewolucje pamięci o ekstremalnej przepustowości, tworzone we współpracy z producentami akceleratorów AI.

DDR6, GDDR7-next i pamięci dla AI

Na horyzoncie pojawiają się też nowe generacje klasycznych pamięci DRAM. W planach na lata 2029-2031 jest DDR6 dla serwerów i komputerów osobistych, a także GDDR7-next dla kart graficznych nowej generacji. Na ten sam okres SK hynix zapowiada również rozwój technologii 3D DRAM, która może stać się kolejnym krokiem w zwiększaniu gęstości i efektywności energetycznej modułów pamięci.

Częścią nowej strategii są również dedykowane rozwiązania dla sztucznej inteligencji: seria AI-D (dla systemów DRAM) oraz AI-N (dla pamięci masowych). Wśród nich znajdą się m.in. LPDDR6 SOCAMM2, MRDIMM Gen2, CXL LPDDR6 oraz 3. generacja QXL PiM-Next, która łączy pamięć z elementami przetwarzania danych bezpośrednio w strukturze układu (Processing-in-Memory).

NAND przyszłości: 400+ warstw i PCIe Gen7

W segmencie pamięci flash NAND firma również nie zwalnia tempa. Do 2028 roku SK hynix planuje rozwój 4D NAND o ponad 400 warstwach, co pozwoli znacząco zwiększyć pojemność i wydajność dysków SSD. W tym samym okresie na rynek trafią nowe PCIe Gen5 i Gen6 eSSD oraz cSSD, a także UFS 5.0 dla urządzeń mobilnych.

Na przełomie dekady pojawią się z kolei PCIe Gen7 SSD, UFS 6.0 oraz nowa generacja produktów AI-N P (Storage Next) i AI-N B (HBF), zaprojektowanych specjalnie z myślą o systemach przetwarzania danych w środowiskach AI.