SK Hynix zapowiedziało pamięci DRAM HBM2E o przepustowości 460 GB/s

Co prawda SK Hynix nie jest pierwszym producentem, który zaprezentował swoje pamięci DRAM w standardzie HBM2E, ponieważ takowe zapowiedział Samsung już w maju tego roku, ale firma i tak ma się czym chwalić. Jej nowy produkt poszczycić może się bowiem najwyższą przepustowością w branży i pod tym względem wypada zdecydowanie lepiej od konkurencyjnych pamięci HBM2E. Jak podaje SK Hynix, jego pamięci HBM2E mogą uzyskać przepustowość aż 460 gigabajtów na sekundę (GB/s), a to dzięki wydajności na pin wynoszącej 3,6 Gb/s (w przypadku Samsunga jest to 3,2 Gb/s) z 1024 magistralą. Oznacza to praktycznie 50% wzrost względem pamięci poprzedniej generacji, czyli HBM2. Co warto podkreślić, HBM2E bardzo dobrze skalują się też w zakresie pojemności, umożliwiając bezproblemowe stosowanie nawet kości o łącznej pojemności 16 GB przy wykorzystaniu 16 Gb układów.

Jak podaje SK Hynix, jego pamięci HBM2E mogą uzyskać przepustowość aż 460 gigabajtów na sekundę.

SK Hynix widzi bardzo szerokie zastosowanie dla swoich nowych pamięci, w przeróżnych produktach, w tym także high-endowych GPU. Raczej nie liczylibyśmy jednak na pojawienie się HMB2E w konsumenckich kartach graficznych, a przynajmniej nie w najbliższej przyszłości i choć taka opcja niewątpliwie przełożyłaby się na wzrost wydajności, to jednak pamięci GDDR są zdecydowanie bardziej opłacalne. Warto choćby przypomnieć, że AMD po krótkim romansie z technologią HMB w swoich kartach dla graczy (Radeon Vega), w przypadku najnowszej generacji Radeonów (RX 5700 i RX 5700 XT) zdecydowało się jednak na sięgnięcie po układy VRAM typu GDDR6, które są po prostu tańsze i oferują satysfakcjonującą wydajność.   

 Samsung prezentuje pamięci HBM2E. 16 GB na stos i 3,2 Gb/s na pin

Zdecydowanie bardziej prawdopodobne jest, że pamięci HBM2E trafią głównie do sektora profesjonalnego. W tym segmencie rynku nawet NVIDIA chętniej sięga po układy HMB i dla przykładu w zeszłorocznym modelu Quadro GV100 zastosowała 32 GB HBM2. Podobnie zresztą widzi to sam producent, gdyż SK Hynix jako optymalne zastosowanie swoich nowych pamięci wymienia superkomputery, maszynowe uczenie i sztuczną inteligencję. Firma zamierza rozpocząć masową produkcję pamięci DRAM typu HBM2E w 2020 roku, „kiedy to spodziewane jest większe otwarcie na rynku” dla tego typu kości.