SK Hynix zapowiedziało pamięci DRAM HBM2E o przepustowości 460 GB/s

SK Hynix zapowiedziało pamięci DRAM HBM2E o przepustowości 460 GB/s

Co prawda SK Hynix nie jest pierwszym producentem, który zaprezentował swoje pamięci DRAM w standardzie HBM2E, ponieważ takowe zapowiedział Samsung już w maju tego roku, ale firma i tak ma się czym chwalić. Jej nowy produkt poszczycić może się bowiem najwyższą przepustowością w branży i pod tym względem wypada zdecydowanie lepiej od konkurencyjnych pamięci HBM2E. Jak podaje SK Hynix, jego pamięci HBM2E mogą uzyskać przepustowość aż 460 gigabajtów na sekundę (GB/s), a to dzięki wydajności na pin wynoszącej 3,6 Gb/s (w przypadku Samsunga jest to 3,2 Gb/s) z 1024 magistralą. Oznacza to praktycznie 50% wzrost względem pamięci poprzedniej generacji, czyli HBM2. Co warto podkreślić, HBM2E bardzo dobrze skalują się też w zakresie pojemności, umożliwiając bezproblemowe stosowanie nawet kości o łącznej pojemności 16 GB przy wykorzystaniu 16 Gb układów.

Jak podaje SK Hynix, jego pamięci HBM2E mogą uzyskać przepustowość aż 460 gigabajtów na sekundę.

SK Hynix zapowiedziało pamięci DRAM HBM2E o przepustowości 460 GB/s

SK Hynix widzi bardzo szerokie zastosowanie dla swoich nowych pamięci, w przeróżnych produktach, w tym także high-endowych GPU. Raczej nie liczylibyśmy jednak na pojawienie się HMB2E w konsumenckich kartach graficznych, a przynajmniej nie w najbliższej przyszłości i choć taka opcja niewątpliwie przełożyłaby się na wzrost wydajności, to jednak pamięci GDDR są zdecydowanie bardziej opłacalne. Warto choćby przypomnieć, że AMD po krótkim romansie z technologią HMB w swoich kartach dla graczy (Radeon Vega), w przypadku najnowszej generacji Radeonów (RX 5700 i RX 5700 XT) zdecydowało się jednak na sięgnięcie po układy VRAM typu GDDR6, które są po prostu tańsze i oferują satysfakcjonującą wydajność.   

 Samsung prezentuje pamięci HBM2E. 16 GB na stos i 3,2 Gb/s na pin

Zdecydowanie bardziej prawdopodobne jest, że pamięci HBM2E trafią głównie do sektora profesjonalnego. W tym segmencie rynku nawet NVIDIA chętniej sięga po układy HMB i dla przykładu w zeszłorocznym modelu Quadro GV100 zastosowała 32 GB HBM2. Podobnie zresztą widzi to sam producent, gdyż SK Hynix jako optymalne zastosowanie swoich nowych pamięci wymienia superkomputery, maszynowe uczenie i sztuczną inteligencję. Firma zamierza rozpocząć masową produkcję pamięci DRAM typu HBM2E w 2020 roku, „kiedy to spodziewane jest większe otwarcie na rynku” dla tego typu kości.   

Pokaż / Dodaj komentarze do: SK Hynix zapowiedziało pamięci DRAM HBM2E o przepustowości 460 GB/s

 0