Yangtze Memory zapowiada przełomowe pamięci NAND o prędkości DRAM DDR4

Yangtze Memory zapowiada przełomowe pamięci NAND o prędkości DRAM DDR4

Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) zapowiedziało nową przełomową technologię, która może odmienić oblicze pamięci 3D NAND, przyspieszając je do poziomu pamięci DDR4. Wszystko za sprawą autorskiej architektury o  nazwie Xtacking, gdzie układy NAND tworzone są w oparciu o dwa wafle: jeden zawierający komórki pamięci flash, które bazują na technice Charge Trap Flash (CTF), a drugi posiadający CMOS z bramkami logicznymi. Takie połączenie pozowlić ma uzyskać prędkości I/O nawet rzędu pmięci DRAM DDR4. 

Tradycyjnie, producenci NAND korzystają z pojedynczego procesu technologicznego, gdzie stosowany jest jeden wafel zarówno dla samych pamięci NAND, jak  i ich układów logicznych odpowiedzialnych za dekodowanie adresu, buforowanie stron, itd. YMTC poszło w innym kierunku i planuje wykorzystanie osobnych wafli na macierz NAND oraz układy logiczne, które powstawać będą na bazie dwóch różnych procesów technologicznych, a następnie wafle te będą ze sobą łączone za pomocą metalowych ścieżek przy pomocy dodatkowego procesu.

Jeśli YMTC uda się dotrzymać obietnicy NAND o prędkościach dochodzących do tych z DDR4, to oznaczać może przełom na rynku dysków pamięci flash.

Dzięki temu architektura Xtacking pozwolić ma na uzyskanie ultraszybkich pamięci przy jednoczesnej maksymalizacji gęstości macierzy. Producent chwali się, że jego 64-warstowowe układy 3D NAND oferują prędkość I/O na poziomie 3 Gb/s, czyli ponad dwukrotnie wyższą niż najnowsze pamięci V-NAND Samsunga i jakieś trzykrotnie wyższą od typowych pamięci 3D NAND dostępnych na rynku. Dodatkowo, umieszczenie kontrolujących układów logicznych pod komórkami NAND flash umożliwić ma maksymalizację pojemności pamięci i minimalizację rozmiarów ich układów. W teorii wysoka wydajność I/O pozwolić może producentom dysków SSD na tworzenie nośników o niskich pojemnościach bez typowego ograniczenia w zakresie ich wydajności.

YMTC twierdzi, że dwa 300 mm wafle zamiast jednego nie zwiększają kosztów produkcji w znaczący sposób, ponieważ maksymalizacja gęstości pamięci wyrównuje koszt dodatkowego wafla na układy logiczne. Warto przy okazji wspomnieć, że Yangtze Memory Technologies Co. finansowane jest przez chiński rząd i korzysta z fabryk XMC do produkcji obu komponentów. Wafle CMOS wytwarzane są w oparciu o 180 nm proces technologiczny opracowany przez XMC, a YMTC nie zdradza litografii samych pamięci 3D  NAND. Postawienie na dojrzałe technologie sprawia zaś, że producent nie potrzebuje ogromnej precyzji przy łączeniu ze sobą obu wafli. Kiedy możemy spodziewać się pierwszych dysków lub implementacji architektury Xtacking w innych zastosowaniach (jak pamięci UFS w smartfonach)? Tego jeszcze nie wiemy i z niecierpliwością będziemy wyczekiwać komercjalizacji tego rozwiązania.

Komentarze do: Yangtze Memory zapowiada przełomowe pamięci NAND o prędkości DRAM DDR4