Nowy iPhone z niezwykłą pamięcią? To byłby przełom

Apple planuje uczcić 20-lecie iPhone’a w wyjątkowy sposób, szykując na 2027 rok zupełnie nowe urządzenie, które – według doniesień – znacząco różnić się będzie od dotychczasowych modeli tej serii. Firma ma pracować nie tylko nad nowatorskim designem, ale również nad technologiami, które zapewnią urządzeniu wyraźny skok wydajności. W centrum tych innowacji ma znaleźć się zaawansowana technologia pamięci oparta na sztucznej inteligencji.

Według doniesień południowokoreańskiego serwisu ETNews, Apple zamierza wyposażyć jubileuszowego iPhone’a w mobilną wersję pamięci HBM (High Bandwidth Memory). Jest to rodzaj pamięci DRAM, w której chipy są układane pionowo i połączone ze sobą poprzez specjalne kanały (TSV – Through-Silicon Vias), co umożliwia znacznie szybszą transmisję sygnałów.

HBM jest obecnie wykorzystywana przede wszystkim w serwerach AI orazkartach graficznych, dzięki czemu świetnie radzi sobie z obsługą przetwarzania danych w środowiskach wymagających dużej mocy obliczeniowej. Teraz ta technologia ma trafić do smartfonów, oferując większą przepustowość danych, energooszczędność i kompaktowość – co może być szczególnie istotne w kontekście coraz cieńszych urządzeń mobilnych.

iPhone z przełomową technologią?

Zastosowanie tej technologii wpisuje się w szerszą strategię Apple związaną z rozwojem tzw. Apple Intelligence – nowego podejścia do przetwarzania danych bezpośrednio na urządzeniu. Dzięki integracji pamięci HBM z układami GPU, nowy iPhone może zyskać zdolność lokalnego przetwarzania dużych modeli językowych bez istotnego wpływu na żywotność baterii czy opóźnienia w działaniu.

Apple zamierza wyposażyć jubileuszowego iPhone’a w mobilną wersję pamięci HBM (High Bandwidth Memory). Jest to rodzaj pamięci DRAM, w której chipy są układane pionowo i połączone ze sobą poprzez specjalne kanały (TSV – Through-Silicon Vias), co umożliwia znacznie szybszą transmisję sygnałów.

Technologia jest obecnie rozwijana przez głównych dostawców pamięci Apple: Samsung Electronics oraz SK Hynix. Obie firmy pracują nad własnymi wersjami układów – Samsung wykorzystuje metodę pakowania o nazwie Vertical Cu-post Stack (VCS), natomiast SK Hynix stawia na rozwiązanie zwane Vertical wire Fan-Out (VFO). Obaj producenci planują rozpocząć masową produkcję już w przyszłym roku, co zbiega się z harmonogramem premiery jubileuszowego iPhone’a.

Należy jednak zaznaczyć, iż pamięci HBM są na obecnym etapie rozwoju bardzo kosztowne. Może to mieć bezpośredni wpływ na cenę urządzeń z serii iPhone planowanych na 2027 rok. Choć szczegóły w tej sprawie nie zostały jeszcze ujawnione, wszystko wskazuje na to, że Apple będzie miało powody, by wprowadzić znaczącą podwyżkę cen jubileuszowych modeli.