Samsung chce osiągnąć ponad 1000-warstwową pamięć NAND 

Jakiś czas temu Samsung Electronics pochwali się planami, które zakładają stworzenie pamięci masowej, która pomieści „petabajty” danych, co wówczas wydawało się mało realne. Obecnie firma rozważa zastosowanie nowych materiałów „ferroelektrycznych”, aby potencjalnie osiągnąć ten cel dzięki technologii składającej się z ponad 1000 warstw NAND.

Niedawno pisaliśmy o nowych planach Samsunga dotyczących przyszłości rynków NAND, w tym o wypuszczeniu na rynek pamięci flash V-NAND dziewiątej generacji, która będzie składała się z aż 290 warstw ułożonych jedna na drugiej. Co ciekawe, koreański gigant zapowiedział także układy NAND z 430-warstwowym stosem pamięci (V-NAND 10. generacji), którego premiera spodziewana jest w przyszłym roku. Mając taki sprzęt na pokładzie, Samsung Electronics planuje jak najszybciej przekroczyć granicę 1000 TB, ale to nie wszystko.

Samsung rozważa zastosowanie nowych materiałów „ferroelektrycznych”, aby osiągnąć ponad 1000 warstw NAND.

Oczekuje się, że podczas Sympozjum Technologicznego VLSI w Honolulu naukowcy z Koreańskiego Instytutu Zaawansowanych Nauki i Technologii (KAIST) przedstawią swoje odkrycia dotyczące ferroelektryków Hafnia, czyli klasy materiałów wykazujących ferroelektryczność w określonych warunkach. W ostatnim czasie te spotkały się z ogromnym zainteresowaniem, szczególnie ze strony branży komputerowej, ponieważ ich właściwości ferroelektryczne mogą umożliwić rozwój mniejszych, bardziej wydajnych kondensatorów i urządzeń pamięci.

Co trzeba podkreślić, Samsung nie jest bezpośrednio zaangażowany w proces badawczo-rozwojowy, ale mówi się, że pracują nad tym osoby powiązane z koreańskim gigantem. Chociaż nie jest pewne, czy odkrycie ferroelektryków Hafnia doprowadzi do stworzenia urządzenia przechowującego petabajty danych, mogą one odegrać bardzo istotną rolę, stanowiąc ważny kamień milowy w osiągnięciu tego celu.