Prace nad technologią MRAM, czyli rodzajem pamięci nieulotnej RAM, wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu, trwają od kilkunastu lat. Technologią, która ma szansę zastąpić NAND i DRAM, zainteresowani są m.in. Intel, IBM czy Samsung, a ten ostatni pochwalił się właśnie nowym przełomem w tym zakresie.
In-Memory Computing okazał się jedną z najbardziej obiecujących technik realizacji nowej generacji przetwarzania AI o niskim poborze mocy. Naukowcy przetestowali technologię przy użyciu większości dostępnych typów pamięci nieulotnej, ale potencjalnie najbardziej komplementarna, czyli MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), nie była opłacalna ze względu na jej niską odporność. Naukowcy z firmy Samsung twierdzą jednak, że z powodzeniem zademonstrowali MRAM do obliczeń w pamięci przy użyciu nowatorskiej macierzy krzyżowej 64 × 64 opartej na komórkach MRAM.
Samsung pochwalił się właśnie nowym przełomem w zakresie MRAM, , czyli rodzajem pamięci nieulotnej RAM, wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny
Według artykułu opublikowanego przez Nature kluczową innowacją architektoniczną zespołu badawczego Samsunga było przetestowanie poprzecznej macierzy 64 × 64 opartej na komórkach MRAM, która „rozwiązała problem niskiej rezystancji z architekturą. Ta wykorzystuje sumowanie rezystancji do analogowych operacji mnożenia i akumulacji”. Demonstracje nowatorskiej technologii firmy Samsung wykorzystywały macierz 64 x 64 zintegrowaną z elektroniką odczytu w 28 nm technologii CMOS.
Zespoły z Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) w ścisłej współpracy z Samsung Electronics Foundry Business i Semiconductor R&D Center przeprowadziły testy z nowym rozwiązaniem MRAM i sprawdziły jego wydajność obliczeniową w ramach AI. W testach nowe urządzenie sprawdziło się w obliczeniach sztucznej inteligencji, osiągając dokładność 98% w klasyfikacji odręcznych cyfr i 93% dokładność w wykrywaniu twarzy ze scen.
MRAM ma kilka cech, które sprawiają, że ten rodzaj pamięci wydaje się niezwykle atrakcyjny. Najważniejszymi są nieulotny charakter tej technologii, szybkość operacyjna, wytrzymałość i opłacalność produkcji na dużą skalę. Jednak naukowcy z Samsunga zwracają uwagę, że wcześniejsze korzystanie z pamięci MRAM było niepraktyczne ze względu na jej niską odporność (technologia MRAM w żadnym wypadku nie jest nowa, a jej praktyczny rozwój rozpoczął się na dobre w 1998 roku).
Ta nowa forma zastosowania wykorzystująca technologię MRAM może być nie tylko wykorzystywana do obliczeń w pamięci, ale naukowcy są przekonani, że może ona również służyć jako platforma do pobierania biologicznych sieci neuronowych. Naukowcy z Samsunga komentują, że „przetwarzanie w pamięci wykazuje podobieństwo do mózgu w tym sensie, że przetwarzanie odbywa się również w sieci wspomnień biologicznych lub synaps, czyli punktów, w których neurony stykają się ze sobą”.
Samsung planuje iść naprzód, opierając się na sukcesie przetwarzania w pamięci MRAM, aby umocnić swoją wiodącą pozycję w technologii pamięci i rozwoju procesorów. Trudno powiedzieć, ile czasu upłynie, zanim tego typu technologia przeniknie do urządzeń konsumenckich, takich jak komputery PC, tablety i smartfony.
Zobacz także:
- Pakistan wzywa giełdę kryptowalut Binance do wyjaśnień w sprawie wielomilionowego przekrętu
- QNAP: Zabezpiecz, albo odłącz swój NAS od sieci. Trwają zmasowane ataki ransomware i brute force
- Auta Hondy złapały pluskwę milenijną 22 lata później. Naprawa błędu Y2K22 zajmie wiele miesięcy
Pokaż / Dodaj komentarze do: Samsung ogłasza przełom w zakresie rewolucyjnej pamięci MRAM