SK hynix szykuje przełom w pamięciach DDR5. Technologia 1c DRAM już wkrótce

SK hynix zamierza dokonać znaczącego postępu w rozwoju technologii 1c DRAM, która ma zwiększyć wydajność pamięci DDR5 i HBM. Firma liczy, że dzięki temu umocni pozycję lidera w branży.

Producent ma zamiar w tym celu skorzystać z technologii EUV (Extreme Ultraviolet Lithography). SK hynix będzie pierwszym producentem, który wykorzysta 1c DRAM z sześcioma warstwami EUV. 

SK hynix rozwija technologię 1c DRAM z EUV. Nowa era wydajności?

Przewiduje się, że ta zmiana poprawi zarówno rozwiązania konsumenckie, jak i HBM (High Bandwidth Memory), a także pomoże rozwijać kolejne generacje DRAM, które mogą wykorzystywać zaawansowane rozwiązania High-NA EUV.

SK hynix zamierza dokonać znaczącego postępu w rozwoju technologii 1c DRAM, która ma zwiększyć wydajność pamięci DDR5 i HBM. Firma liczy, że dzięki temu umocni pozycję lidera w branży.

EUV wykorzystuje fale świetlne o długości 13,5 nm, co pozwala na drukowanie bardzo precyzyjnych elementów z mniejszą liczbą etapów wielokrotnego nakładania wzorców. Tradycyjnie, w produkcji DRAM łączono warstwy EUV i DUV (Deep Ultraviolet Lithography), jednak teraz SK hynix planuje zastosowanie wyłącznie warstw EUV w technologii 1c DRAM.

To pozwoli firmie na produkcję komponentów o wyższej wydajności oraz lepszych parametrach. 

Obecnie 1c DRAM nie jest używany w standardowych pamięciach konsumenckich, ale SK hynix bada możliwość jej wdrożenia również do tego rodzaju pamięci.