SK Hynix chwali się pierwszymi 96-warstwowymi pamięciami 4D NAND flash

SK Hynix chwali się pierwszymi 96-warstwowymi pamięciami 4D NAND flash

SK Hynix zapowiedziało właśnie pierwsze 96-warstwowe układy 4D NAND flash o pojemności 512 Gb (64 GB) i tym samym dołączyło do innych producentów, którzy rozpoczęli już produkcję pamięci flash bazującej na takiej ilości warstw. Przewagą południowokoreańskiego przedsiębiorstwa ma być jednak postawienie na czterowymiarową technologię, a warto wspomnieć, że firma wcześniej wytwarzała już pamięci w tej technice, ale były to 72-warstwowe układy. Zwiększenie liczby warstw przełożyć ma się na o 30% mniejsze chipy i o 49% większą produktywność bita na wafel w porównaniu z poprzednimi układami. Niech jednak nie zmyli Was nazwa, wciąż w gruncie rzeczy otrzymujemy tu pamięci 3D TLC, ale SK Hynix dołożyło czwarty wymiar za sprawą zastosowania technologii CTF (charge trap flash) z PUC (Peri. Under Cell). Niemniej jednak, producent obiecuje wyraźny wzrost wydajności.

SK Hynix zapowiedziało właśnie pierwsze 96-warstwowe układy 4D NAND flash o pojemności 512 Gb (64 GB) i tym samym dołączyło do innych producentów, którzy rozpoczęli już produkcję pamięci flash bazującej na takiej ilości warstw.

SK Hynix chwali się pierwszymi 96-warstwowymi pamięciami 4D NAND flash

Zdaniem SK Hynix, jego nowy produkt charakteryzuje się o 30% wyższą prędkością odczytu danych i o 25% zapisu względem poprzednika. Przepustowość danych została zaś podwojona, osiągając aż 64 KB (najwyższa w branży). Za sprawą nowej architektury izolatorów bramki , prędkości I/O osiągać mają tu 1200 Mb/s przy napięciu wynoszącym 1,2 V. Producent korzysta w tym przypadku z technologii charge trap flash (CTF), zamiast tzw. pływającej bramki (ang. floating gate), dlatego też nazywa swoje nowe rozwiązanie 4D NAND. W tym przypadku najważniejszy zespół obwodów elektrycznych umieszczony jest pod komórkami flash  i SK Hynix nazywa tę technologię Periphery Under Cell (PUC) i warto zaznaczyć, że inni producenci również korzystają już z podobnych rozwiązań, ale po prostu używają innych nazw (u Microna jest to np. CMOS Under the Array, a u Samsunga Core Over Periphery).

Zdaniem szefa marketingu SK Hynix, J. T. Kima, nowe pamięci będą krokiem milowym dla branży NAND flash i stanowić będą podstawę dla przyszłych produktów. Masowa produkcja tych układów ruszyć ma lada moment i przedsiębiorstwo planuje konsumenckie SSD o pojemności 1 TB korzystające z 96-warstowoych pamięci 4D NAND, które otrzymają autorski kontroler i firmware SK Hynix, jeszcze w tym roku. W przyszłym (w pierwszej połowie) wypuści zaś na rynek modele skierowane na rynek biznesowy oraz układy UFS 3.0 na rynek mobilny (pierwsza połowa 2019 roku). Firma potwierdziła także, że ma planach wypuszczenie nośników o „ultrawysokim zagęszczeniu” z 96-warstwowymi pamięciami TLC i MLC w 2019 roku. Nie pozostało nam więc nic innego, jak wyczekiwać ich premiery oraz testów, które zweryfikują obietnice producenta.

Komentarze do: SK Hynix chwali się pierwszymi 96-warstwowymi pamięciami 4D NAND flash